[发明专利]超结器件及制作方法

权利要求书

1.一种超结器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

1)提供第一衬底及第二衬底，所述第一衬底及第二衬底均包括相对的第一主面及第二主面，基于光掩模，通过光刻-刻蚀工艺在所述第一衬底的第一主面刻蚀出第一沟槽，所述第一沟槽呈倒梯形；基于光掩模，通过光刻-刻蚀工艺在所述第二衬底的第一主面刻蚀出第二沟槽，所述第二沟槽呈倒梯形；

2)将所述第一衬底的第一主面与所述第二衬底的第一主面键合；

3)自所述第一衬底的第二主面减薄所述第一衬底，使所述第一衬底的第二主面与所述第一沟槽之间保留一支撑层；

4)氧化所述支撑层形成氧化层，并通过腐蚀去除所述氧化层，以显露所述第一沟槽，所述第一沟槽与所述第二沟槽组成纺锤形沟槽结构。

2.根据权利要求1所述的超结器件的制作方法，其特征在于：还包括步骤5)，基于与步骤1)的所述光掩模图形相同的硬掩膜版，通过所述硬掩膜版与显露的所述第一沟槽对准后，直接对所述第一沟槽的底部进行刻蚀，以增大所述第一沟槽的底部宽度，使所述第一沟槽的形貌概呈矩形。

3.根据权利要求1所述的超结器件的制作方法，其特征在于：步骤1)所述的第一沟槽的底部宽度为顶部宽度的四分之一至四分之三之间，所述的第二沟槽的底部宽度为顶部宽度的四分之一至四分之三之间。

4.根据权利要求1所述的超结器件的制作方法，其特征在于：所述第一沟槽的深度介于1～30微米之间，所述第二沟槽的深度介于1～30微米之间。

5.根据权利要求4所述的超结器件的制作方法，其特征在于：所述第一沟槽的深度介于15～25微米之间，所述第二沟槽的深度介于15～25微米之间。

6.根据权利要求1所述的超结器件的制作方法，其特征在于：步骤1)的刻蚀方法包括反应离子刻蚀RIE与深硅刻蚀ICP中的一种。

7.根据权利要求1所述的超结器件的制作方法，其特征在于：步骤3)中，采用化学机械抛光工艺对所述第一衬底进行减薄，减薄后的所述支撑层的厚度介于0.5微米～2微米之间。

8.根据权利要求1～7任意一项所述的超结器件的制作方法，其特征在于，还包括步骤：

所述第一衬底及第二衬底为第一导电类型掺杂，于所述第一沟槽及第二沟槽中填充第二导电类型掺杂的半导体材料层，以与所述第一衬底及第二衬底共同形成超结结构。

9.根据权利要求8所述的超结器件的制作方法，其特征在于：还包括步骤：

在所述超结结构上形成第二导电类型体区；

在所述第二导电类型体区中形成第一导电类型源区；

在所述第一导电类型源区及所述第二导电类型体区上制作栅极结构；

形成绝缘层以及电极引出结构；

其中，所述第二衬底包含第一导电类型漏区。

10.根据权利要求8任意一项所述的超结器件的制作方法，其特征在于：所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型，或者，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。

11.一种超结器件，其特征在于，所述超结器件包括：

第一导电类型漏区；

超结结构，位于所述第一导电类型漏区上，包括依次排布的第一导电类型柱及第二导电类型柱，且所述第二导电类型柱的形貌呈纺锤形；

第二导电类型体区，形成于所述超结结构上；

第一导电类型源区，形成于所述第二导电类型体区中；

栅极结构，形成于所述第一导电类型源区及所述第二导电类型体区上；

绝缘层以及电极引出结构，位于所述第一导电类型源区及栅极结构上。

12.根据权利要求11所述的超结器件，其特征在于：还包括形成于所述第一导电类型源区的第二导电类型接触区。