[发明专利]一种基于侧面抛磨的端面腐蚀光纤应变结构及制备方法在审
| 申请号： | 202011438030.2 | 申请日： | 2020-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN112729141A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 何巍;袁宏伟;祝连庆;张雯;董明利;李红;何彦霖 | 申请（专利权）人： | 北京信息科技大学 |
| 主分类号： | G01B11/16 | 分类号： | G01B11/16;G02B6/25;G02B6/255 |
| 代理公司： | 北京律恒立业知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11416 | 代理人： | 王琦;庞立岩 |
| 地址： | 100085 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于侧面抛磨的端面腐蚀光纤应变结构及制备方法，该制备方法使用氢氟酸腐蚀处理单模光纤，然后与另一个单模光纤熔接形成F‑P结构，然后使用侧面抛磨技术，根据需要打磨出不同尺寸的抛磨区，该制备方法操作简单，成本低廉，可根据需要制备不同尺寸的F‑P腔结构和抛磨区，所制备的光纤应变结构具有高度的灵敏性和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 侧面 端面 腐蚀 光纤 应变 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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