[发明专利]一种基于侧面抛磨的端面腐蚀光纤应变结构及制备方法在审

专利信息
申请号: 202011438030.2 申请日: 2020-12-07
公开(公告)号: CN112729141A 公开(公告)日: 2021-04-30
发明(设计)人: 何巍;袁宏伟;祝连庆;张雯;董明利;李红;何彦霖 申请(专利权)人: 北京信息科技大学
主分类号: G01B11/16 分类号: G01B11/16;G02B6/25;G02B6/255
代理公司: 北京律恒立业知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11416 代理人: 王琦;庞立岩
地址: 100085 北京市海淀区清*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 侧面 端面 腐蚀 光纤 应变 结构 制备 方法
【说明书】:

本发明提供一种基于侧面抛磨的端面腐蚀光纤应变结构及制备方法,该制备方法使用氢氟酸腐蚀处理单模光纤,然后与另一个单模光纤熔接形成F‑P结构,然后使用侧面抛磨技术,根据需要打磨出不同尺寸的抛磨区,该制备方法操作简单,成本低廉,可根据需要制备不同尺寸的F‑P腔结构和抛磨区,所制备的光纤应变结构具有高度的灵敏性和稳定性。

技术领域

本发明涉及光纤器件领域,具体涉及一种基于侧面抛磨的端面腐蚀光纤应变结构及制备方法。

背景技术

光纤法布里-珀罗(简称F-P)传感器是利用光纤与毛细管构建的F-P腔形成的传感器,其中非本征F-P传感器是利用两光纤端面之间形成的空气间隙从而构成一个腔长为L的微腔,该类光纤传感器因为其具有结构简单、体积小、可靠性高、单根光纤信号传输、制作简单等优点而成为现在应用最广泛的一类光纤传感器。其工作原理为当一束相干光束通过入射光纤传输到F-P腔中时,光在光纤F-P腔的两端面发生多次反射,形成干涉并沿原路返回,其干涉输出信号是与F-P腔的腔长有关的。即是当外界环境参量(如温度、压力、应变等)以一定方式作用于F-P腔,使其腔长L发生变化,导致其干涉输出信号也发生相应变化。根据此原理,就可以从干涉信号的变化中导出F-P腔长度的变化,从而实现对各种被测参量的检测。

传统的非本征光纤F-P腔传感器的制作方法,通常是将两根光纤分别从毛细管的两端插入,保证两个光纤端面的平整并且两端面保持合适的距离以形成F-P腔,然后通过粘胶或者焊接的方法将毛细管与光纤固定。专利CN103335949A是将入射光纤与反射光纤插入毛细玻璃管中,然后采用激光焊接的方法将两者焊接在一起以达到固定的目的,从而形成一个EFPI传感器。但是,传统的光纤F-P腔的制作方法中将光纤插入毛细玻璃管这一制作方法失败率较高,且制备的传感器灵敏度不高,容易受环境中因素影响。

发明内容

本发明为了解决现有技术中光纤F-P腔在制备过程中失败率较高,制备结构灵敏度差的问题,提供了一种基于侧面抛磨的端面腐蚀光纤应变结构的制备方法,该方法具体步骤如下:

(1)对第一单模光纤端面进行腐蚀处理,得到腐蚀光纤;

(2)取第二单模光纤,将第二单模光纤的端面切平,将步骤(1)中腐蚀光纤被腐蚀一端与第二单模光纤切平端面相对熔接形成F-P腔;

(3)熔接完成后,去除F-P腔处的的涂覆层作为抛磨区,将光纤固定在抛磨机上进行持续抛磨处理;

(4)每隔一小时对抛磨区进行观察,直到抛磨厚度达到50μm为止。

进一步地,所述腐蚀处理使用的是40%的氢氟酸溶液,处理时间为20min。

进一步地,所述熔接的方式为电弧放电熔接。

进一步地,所述抛磨区域长度范围为20mm-30mm,抛磨深度30μm-50μm。

进一步地,所述抛磨机为轮式抛磨机。

本发明还提供了一种通过上述方法制备的基于侧面抛磨的端面腐蚀光纤应变结构。

与现有技术相比较,本发明的有益之处为:

本发明提供的一种基于侧面抛磨的端面腐蚀光纤应变结构的制备方法使用氢氟酸腐蚀处理单模光纤,然后与另一个单模光纤熔接形成F-P结构,然后使用侧面抛磨技术在。。位置,根据需要打磨出不同尺寸的抛磨区,该制备方法操作简单,成本低廉,可根据需要制备不同尺寸的F-P腔结构和抛磨区,所制备的光纤应变结构具有高度的灵敏性和稳定性。

附图说明

图1为实施例中第一单模光纤经过腐蚀处理后的结构示意图;

图2为实施例中熔接完成后形成的F-P结构示意图;

图3为实施例中侧面抛磨光纤结构示意图;

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