[发明专利]一种基于侧面抛磨的端面腐蚀光纤应变结构及制备方法

权利要求书

1.一种基于侧面抛磨的端面腐蚀光纤应变结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法的具体步骤如下：

(1)对第一单模光纤端面进行腐蚀处理，得到腐蚀光纤；

(2)取第二单模光纤，将第二单模光纤的端面切平，将步骤(1)中腐蚀光纤被腐蚀一端与第二单模光纤切平端面相对熔接形成F-P腔；

(3)熔接完成后，去除F-P腔处的的涂覆层作为抛磨区，将光纤固定在抛磨机上进行持续抛磨处理；

(4)每隔一小时对抛磨区进行观察，直到抛磨厚度达到50μm为止。

2.根据权利要求1所述的应变结构的制备方法，其特征在于，所述腐蚀处理使用的是40％的氢氟酸溶液，处理时间为20min。

3.根据权利要求1所述的应变结构的制备方法，其特征在于，所述熔接的方式为电弧放电熔接。

4.根据权利要求1所述的应变结构的制备方法，其特征在于，所述抛磨区域长度范围为20mm-30mm，抛磨深度30μm-50μm。

5.根据权利要求1所述的应变结构的制备方法，其特征在于，所述抛磨机为轮式抛磨机。

6.由权利要求1-5所述制备方法制备得到的一种基于侧面抛磨的端面腐蚀光纤应变结构。