[发明专利]一种低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202011424194.X | 申请日： | 2020-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN112625278A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 查俊伟;董晓迪;郑明胜 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;C08J3/24;C08G73/10;C08L79/08 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法，属于微电子技术领域。所述聚酰亚胺薄膜采用联苯四甲酸二酐(BPDA)、1，4‑双(4‑氨基‑2‑三氟甲基苯氧基)苯(6FAPB)为单体，以三(4‑氨基苯基)胺(TPA)为交联剂，通过原位聚合的方法制备成5～15微米的薄膜，薄膜的介电常数为1.76～2.80。聚合过程中涉及的氨基总量与酸酐基总量的摩尔比为1∶1，其中三(4‑氨基苯基)胺中的氨基数在总的氨基数中所占的摩尔百分数为0.1～20.0％。该薄膜具有介电常数低、热力学性能稳定、加工性能良好的特点，在柔性电路板、微电子封装等领域具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低介电 聚酰亚胺 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京科技大学，未经北京科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011424194.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
