[发明专利]一种低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法在审
申请号: | 202011424194.X | 申请日: | 2020-12-08 |
公开(公告)号: | CN112625278A | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 查俊伟;董晓迪;郑明胜 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
主分类号: | C08J5/18 | 分类号: | C08J5/18;C08J3/24;C08G73/10;C08L79/08 |
代理公司: | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人: | 张仲波 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低介电 聚酰亚胺 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种低介电聚酰亚胺薄膜,其特征在于,所述聚酰亚胺为交联聚酰亚胺,聚合所用单体为联苯四甲酸二酐(BPDA)、1,4-双(4-氨基-2-三氟甲基苯氧基)苯(6FAPB),交联剂为三(4-氨基苯基)胺(TPA)。
2.根据权利要求1所述的低介电聚酰亚胺薄膜,其特征在于,聚合过程中涉及的氨基总量与酸酐基总量的摩尔比为1:1,其中三(4-氨基苯基)胺中的氨基数在总的氨基数中所占的摩尔百分数为0.1~20.0%。
3.根据权利要求1所述的低介电聚酰亚胺薄膜,其特征在于,所述聚酰亚胺薄膜的厚度为5~15μm。
4.根据权利要求1所述的低介电聚酰亚胺薄膜,其特征在于,所述聚酰亚胺薄膜的介电常数为1.76~2.80。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的低介电聚酰亚胺薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)在质量浓度为10~20%聚酰胺酸溶液中加入三(4-氨基苯基)胺,搅拌得到含有交联结构的聚酰胺酸溶液,将聚酰胺酸溶液均匀流延到玻璃板上,置于真空干燥箱中除气泡并干燥;
(2)将步骤(1)将干燥后的玻璃板置于鼓风干燥箱中进行程序升温热处理,以实现酰胺化;
(3)待步骤(2)的玻璃板冷却至室温后,放入水中剥膜,然后将薄膜进行真空干燥,得到交联聚酰亚胺薄膜。
6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述聚酰胺酸溶液是通过联苯四甲酸二酐(BPDA)、1,4-双(4-氨基-2-三氟甲基苯氧基)苯(6FAPB)在极性溶剂中原位聚合得到。
7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述的极性溶剂为N,N-二甲基甲酰胺(DMF)、N,N-二甲基乙酰胺(DMAC)、N-甲基吡咯烷酮(NMP)中的一种。
8.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述原位聚合条件为N2氛中在室温下搅拌3~8h。
9.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)搅拌条件为冰水浴中搅拌3~10min;所述除气泡时间为3~10min。
10.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述热处理化的温度范围为80~300℃,升温速率控制在2~6℃/min。
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