[发明专利]一种基于斩波技术的LDO电路有效

专利信息
申请号: 202011423180.6 申请日: 2020-12-08
公开(公告)号: CN112558668B 公开(公告)日: 2022-05-20
发明(设计)人: 张野;施展;张俊星;冯冲;董玉华;闫国强 申请(专利权)人: 大连民族大学
主分类号: G05F1/46 分类号: G05F1/46;G05F1/577
代理公司: 北京君泊知识产权代理有限公司 11496 代理人: 李丹
地址: 116600 辽宁省*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明公开了一种基于斩波技术的LDO电路,包括MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3和MOS管M5,所述MOS管M1的栅极连接输入端Vbg,MOS管M1的源极连接MOS管M5的漏极和MOS管M2的源极,MOS管M1的漏极连接MOS管M3的漏极、MOS管M6的漏极和MOS管M9的栅极,MOS管M5的源极连接MOS管M6的漏极、MOS管M8的源极、MOS管M10的源极、MOS管M12的源极和电压VDD。本发明采用的结构简单,占用片上面积较小,更有利于便携式设备的使用。本发明的噪声性能优秀,可供给于低噪声需求的设备。
搜索关键词: 一种 基于 技术 ldo 电路
【主权项】:
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