[发明专利]一种基于斩波技术的LDO电路有效

专利信息
申请号: 202011423180.6 申请日: 2020-12-08
公开(公告)号: CN112558668B 公开(公告)日: 2022-05-20
发明(设计)人: 张野;施展;张俊星;冯冲;董玉华;闫国强 申请(专利权)人: 大连民族大学
主分类号: G05F1/46 分类号: G05F1/46;G05F1/577
代理公司: 北京君泊知识产权代理有限公司 11496 代理人: 李丹
地址: 116600 辽宁省*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 技术 ldo 电路
【权利要求书】:

1.一种基于斩波技术的LDO电路,包括MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3和MOS管M5,其特征在于,所述MOS管M1的栅极连接输入端Vbg,MOS管M1的源极连接MOS管M5的漏极和MOS管M2的源极,MOS管M1的漏极连接MOS管M3的漏极、MOS管M6的漏极和MOS管M9的栅极,MOS管M5的源极连接MOS管M6的漏极、MOS管M8的源极、MOS管M10的源极、MOS管M12的源极和电压VDD,MOS管M5的栅极连接输入端Vbias、MOS管M8的栅极和MOS管M10的栅极,MOS管M3的源极连接MOS管M4的源极、MOS管M9的源极MOS管M11的漏极、电阻R2和地,MOS管M3的栅极连接MOS管M4的栅极和MOS管M2的漏极,MOS管M2的栅极连接电阻R1和电阻R2的另一端,MOS管M6的源极连接MOS管M7的漏极和MOS管M7的源极,MOS管M7的栅极连接MOS管M8的漏极、MOS管M9的漏极和MOS管M11的栅极,MOS管M10的漏极连接MOS管M11的源极和MOS管M12的栅极,MOS管M12的漏极连接电阻R1的另一端和输出端Vout;

MOS管M1和MOS管M2组成PMOS管MOS差分输入对,MOS管M3、MOS管M4电流镜为有源负载;MOS管M5为第一级提供恒定偏置电流,输出级放大电路由MOS管M8、MOS管M9组成,MOS管M8为共源放大器,MOS管M9为其提供恒定偏置电流同时作为第二级输出负载,相位补偿电路由MOS管M6与MOS管M7构成,MOS管M6工作在线性区,与MOS管MOS电容一起跨接在第二级输入输出之间,构成RC密勒补偿,且误差放大器中使用的米勒补偿在对环路进行补偿的同时也是一个低通滤波器,第三级为pMOS管Mos的源跟随器,其能够帮助稳定器稳定并提高电路的瞬态响应,第四级为pMOS管Mos输出管与两个反馈电阻组成;

还使用3个斩波器ch1-ch3实现斩波调制,在二级运放中使用斩波器ch1和ch2降低输入差分对MOS管M3和MOS管M4的失配,斩波器ch3用于降低1/f噪声,后通过MOS管M6与MOS管M7组成的低通滤波器,对LDO的直流失调与1/f噪声进行消除。

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