[发明专利]一种基于斩波技术的LDO电路

说明书

本发明公开了一种基于斩波技术的LDO电路，包括MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3和MOS管M5，所述MOS管M1的栅极连接输入端Vbg，MOS管M1的源极连接MOS管M5的漏极和MOS管M2的源极，MOS管M1的漏极连接MOS管M3的漏极、MOS管M6的漏极和MOS管M9的栅极，MOS管M5的源极连接MOS管M6的漏极、MOS管M8的源极、MOS管M10的源极、MOS管M12的源极和电压VDD。本发明采用的结构简单，占用片上面积较小，更有利于便携式设备的使用。本发明的噪声性能优秀，可供给于低噪声需求的设备。

技术领域

本发明涉及LDO电路领域，具体是一种基于斩波技术的LDO电路。

背景技术

如图1所示是一个斩波放大器的基本框架。这个放大器由一个斩波器CH1、一个放大器、另一个斩波器CH2以及一个低通滤波器组成，图1中下半部分(a)-(d)是正弦波输入时，各位置的理想波形。信号在进入放大器前，会被斩波器CH1调制到高频，被调制的信号会经过放大器放大(如图1(b)所示)，图中VOS表示放大器中等效在输入端的直流失调与1/f噪声。放大器通过斩波器的高频信号与处在低频区的信号VOS同时放大；经过斩波器CH2后，高频信号会被还原，而VOS会被调制到高频。在斩波完成后，处于信号通路上的低通滤波器会将调制在高频的VOS滤除，这样就消除了直流失调与1/f噪声的影响。

LDO(low dropout regulator，低压差线性稳压器)具有低成本、低噪声，高电源抑制比、电路结构简单、静态电流小、成本低等优点。LDO的基本原理是通过对比带隙基准模块和负反馈网络控制环路而得到一个基本不随外部环境变化而变化的输出电压。LDO能够将变化的电源电压转换成稳定且噪声低的精确电压，以满足对于便携式设备中对噪声敏感的模拟模块和射频模块的需要。传统的低压差线性稳压器拥有较大的片外电容，无法将电容集成在芯片中，且随着便携式设备信号处理频率的不断提高和电源电压的持续降低，电源噪声对电子设备的影响越来越大。由于LDO自身噪声将直接转换为负载电路的电源噪声，因此设计低噪声LDO成为目前LDO研究中一个重要考虑。

发明内容

本发明的目的在于提供一种基于斩波技术的LDO电路，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种基于斩波技术的LDO电路，包括MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3和MOS管M5，所述MOS管M1的栅极连接输入端Vbg，MOS管M1的源极连接MOS管M5的漏极和MOS管M2的源极，MOS管M1的漏极连接MOS管M3的漏极、MOS管M6的漏极和MOS管M9的栅极，MOS管M5的源极连接MOS管M6的漏极、MOS管M8的源极、MOS管M10的源极、MOS管M12的源极和电压VDD，MOS管M5的栅极连接输入端Vbias、MOS管M8的栅极和MOS管M10的栅极，MOS管M3的源极连接MOS管M4的源极、MOS管M9的源极MOS管M11的漏极、电阻R2和地，MOS管M3的栅极连接MOS管M4的栅极和MOS管M2的漏极，MOS管M2的栅极连接电阻R1和电阻R2的另一端，MOS管M6的源极连接MOS管M7的漏极和MOS管M7的源极，MOS管M7的栅极连接MOS管M8的漏极、MOS管M9的漏极和MOS管M11的栅极，MOS管M10的漏极连接MOS管M11的源极和MOS管M12的栅极，MOS管M12的漏极连接电阻R1的另一端和输出端Vout。

作为本发明的进一步技术方案：所述MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4和MOS管M5输入级放大电路组成输入级放大电路。

作为本发明的进一步技术方案：所述MOS管M1和MOS管M2组成PMOS差分输入对。

作为本发明的进一步技术方案：所述MOS管M8和MOS管M9组成输出级放大器。

作为本发明的进一步技术方案：所述MOS管M8为共源放大器。