[发明专利]一种三维存算电路结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种三维存算电路结构及其制备方法，包括：制备第一半导体结构，作为第一逻辑层；在第一绝缘层上键合第一材料层；并对第一材料层进行第一减薄处理和第一表面处理，形成第一衬底层；在第一衬底层上低温制造若干第一低温MOS晶体管，并在若干第一低温MOS晶体管上形成第二绝缘层，形成第二半导体结构，作为存储层；重复上述制备第二半导体结构的操作，形成第三半导体结构，作为第二逻辑层；在第一绝缘层、第二半导体结构和第三半导体结构中开设通孔，形成互连层，以将第一半导体结构、第二半导体结构和第三半导体结构互连；其中，存储层完成存储功能，第二逻辑层完成逻辑计算功能。本发明可以实现高精度、高效能3D存算单元电路集成，大幅提升内部带宽，提升存算效率和性能。