[发明专利]用于大颗粒MPCVD单晶金刚石控温连续生长的内嵌式水冷台及其应用在审
| 申请号： | 202011393749.9 | 申请日： | 2020-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN112647126A | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 朱嘉琦;李一村;代兵;郝晓斌 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C30B25/12 | 分类号： | C30B25/12;C30B25/16;C30B29/04 |
| 代理公司： | 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 | 代理人： | 侯静 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 用于大颗粒MPCVD单晶金刚石控温连续生长的内嵌式水冷台及其应用，它为了在不改变生长舱体内等离子体分布的情况下连续可控地调节金刚石样品表面与等离子体核心的距离，实现大颗粒CVD单晶金刚石的长期连续稳定生长。本发明内嵌式水冷台包括外层水冷台、内部水冷台、样品托和两台升降电机，外层水冷台由外台体和连接体组成一体结构，在外台体内开有凹腔，沿连接体的中轴线开有通孔；所述的内部水冷台由水冷台体和连接杆组成一体结构，内部水冷台的内部开有水冷腔，水冷台体位于凹腔内，连接杆套设在通孔中。本发明通过内部水冷台的升降实现金刚石样品长时间连续生长过程中的温度恒定控制，进而实现大颗粒MPCVD单晶金刚石的生长。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 颗粒 mpcvd 金刚石 连续 生长 内嵌式 水冷 及其 应用 | ||
【主权项】：
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