[发明专利]碱抛光PERC电池制作工艺有效
申请号: | 202011358105.6 | 申请日: | 2020-11-27 |
公开(公告)号: | CN114628545B | 公开(公告)日: | 2023-07-14 |
发明(设计)人: | 王俊;吴坚 | 申请(专利权)人: | 嘉兴阿特斯技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/042;H01L31/0352 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 韩晓园 |
地址: | 314000 浙江省嘉兴市秀*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种碱抛光PERC电池制作工艺,所涉及的工艺在激光重掺杂步骤之后增加第二次扩散步骤,可以在重掺杂区再次形成对pn结构成保护的PSG,进而取代现有技术中所涉及的正面热氧化步骤;此外,在PERC电池轻掺杂区,由于第二次扩散步骤中的第二预扩散温度与第二推进扩散温度分别小于第一次扩散步骤中的第一预扩散温度与第一推进扩散温度,第一次扩散步骤中所形成的PSG可以阻止磷再次往硅片内部扩散;而在PERC电池重掺杂区,由于激光重掺杂步骤会破坏第一次扩散步骤中所形成的PSG,磷可以继续往硅片内部扩散,如此相对现有技术能够在重掺杂区形成掺杂浓度更高的重掺杂,以使重掺杂区具有更好的欧姆接触,提升FF,提升电池效率。 | ||
搜索关键词: | 抛光 perc 电池 制作 工艺 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的