[发明专利]碱抛光PERC电池制作工艺

说明书

本发明公开了一种碱抛光PERC电池制作工艺，所涉及的工艺在激光重掺杂步骤之后增加第二次扩散步骤，可以在重掺杂区再次形成对pn结构成保护的PSG，进而取代现有技术中所涉及的正面热氧化步骤；此外，在PERC电池轻掺杂区，由于第二次扩散步骤中的第二预扩散温度与第二推进扩散温度分别小于第一次扩散步骤中的第一预扩散温度与第一推进扩散温度，第一次扩散步骤中所形成的PSG可以阻止磷再次往硅片内部扩散；而在PERC电池重掺杂区，由于激光重掺杂步骤会破坏第一次扩散步骤中所形成的PSG，磷可以继续往硅片内部扩散，如此相对现有技术能够在重掺杂区形成掺杂浓度更高的重掺杂，以使重掺杂区具有更好的欧姆接触，提升FF，提升电池效率。

技术领域

本发明涉及太阳能光伏技术领域，尤其涉及一种碱抛光PERC电池制作工艺。

背景技术

PERC电池是目前市场上最主流的高效电池之一。其中SE-PERC电池是在PERC基础上增加一道激光重掺杂技术(SE)工序，实现了太阳能电池的选择性掺杂。具体而言，重掺杂技术(SE)工序利用了激光掺杂具有选择性熔融和扩散的特点，在硅基太阳能电池中制备选择性发射极结构。在这种结构中，在光吸收区实行轻掺杂，这样减少表面少子俄歇复合，短波光谱响应好；在金属接触区实行重掺杂，以使金属电极和电池发射区之间形成良好的欧姆接触，其短路电流、开路电压、填充因子和转化效率都较高。

现有技术中SE-PERC电池的一种具体制作流程为：制绒-扩散-激光重掺杂-正面热氧化-去背面PSG-背面碱抛光-去正面PSG-正背面镀膜-背面激光开槽-背面电极、背电场和正面电极印刷-烧结。其中，激光掺杂时对正面的PSG有破坏作用，使得重掺杂区的pn结暴露出来，而正面热氧化步骤所形成的氧化层即可对激光掺杂区的pn结形成保护，避免在背面碱抛光时被碱液侵蚀。

然现有技术所涉及的SE-PERC电池制作工艺存在以下问题：硅片受光区域为轻掺杂区，所以扩散步骤中必须采用高方阻工艺(即掺杂量不能过大)，但采用高方阻工艺时形成于硅片表面的PSG较少，如此在激光重掺杂步骤中，不能形成质量较好的重掺杂，从而导致欧姆接触不好，FF下降，电池效率降低。

有鉴于此，有必要提供一种能够解决以上技术问题的技术方案。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术存在的技术问题之一，为实现上述发明目的，本发明提供了一种碱抛光PERC电池制作工艺，其具体设计方式如下。

一种碱抛光PERC电池制作工艺，其包括：

制绒步骤：在硅片表面形成绒面；

第一次扩散步骤：依次包括第一预扩散步骤及第一推进扩散步骤，以对制绒后的硅片进行第一次磷扩散处理；

激光重掺杂步骤：通过激光对第一次磷扩散后的硅片进行选择性重掺杂；

第二次扩散步骤：依次包括第二预扩散步骤及第二推进扩散步骤，以对重掺杂后的硅片进行第二次磷扩散处理；其中，所述第二次扩散步骤中的第二预扩散温度与第二推进扩散温度分别小于所述第一次扩散步骤中的第一预扩散温度与第一推进扩散温度；

去背面PSG步骤：去除硅片背面及边缘的磷硅玻璃；

碱抛光步骤：采用碱液对去磷硅玻璃后的硅片背面进行抛光处理；

去正面PSG步骤：去除硅片正面的磷硅玻璃；

正、背面镀膜步骤：在硅片正面沉积正面减反射膜，在硅片背面依次沉积钝化膜及背面减反射膜；

激光开槽步骤：对硅片背面的钝化膜及减反射膜进行激光开槽；

浆料印刷步骤：采用丝网对硅片正面与背面进行金属浆料印刷。