[发明专利]碱抛光PERC电池制作工艺有效
申请号: | 202011358105.6 | 申请日: | 2020-11-27 |
公开(公告)号: | CN114628545B | 公开(公告)日: | 2023-07-14 |
发明(设计)人: | 王俊;吴坚 | 申请(专利权)人: | 嘉兴阿特斯技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/042;H01L31/0352 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 韩晓园 |
地址: | 314000 浙江省嘉兴市秀*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 抛光 perc 电池 制作 工艺 | ||
1.一种碱抛光PERC电池制作工艺,其特征在于,包括:
制绒步骤:在硅片表面形成绒面;
第一次扩散步骤:依次包括第一预扩散步骤及第一推进扩散步骤,以对制绒后的硅片进行第一次磷扩散处理;
激光重掺杂步骤:通过激光对第一次磷扩散后的硅片进行选择性重掺杂;
第二次扩散步骤:依次包括第二预扩散步骤及第二推进扩散步骤,以对重掺杂后的硅片进行第二次磷扩散处理;其中,所述第二次扩散步骤中的第二预扩散温度与第二推进扩散温度分别小于所述第一次扩散步骤中的第一预扩散温度与第一推进扩散温度;
去背面PSG步骤:去除硅片背面及边缘的磷硅玻璃;
碱抛光步骤:采用碱液对去磷硅玻璃后的硅片背面进行抛光处理;
去正面PSG步骤:去除硅片正面的磷硅玻璃;
正、背面镀膜步骤:在硅片正面沉积正面减反射膜,在硅片背面依次沉积钝化膜及背面减反射膜;
激光开槽步骤:对硅片背面的钝化膜及减反射膜进行激光开槽;
浆料印刷步骤:采用丝网对硅片正面与背面进行金属浆料印刷。
2.根据权利要求1所述的碱抛光PERC电池制作工艺,其特征在于,所述第一预扩散温度为780-810℃,所述第一推进扩散温度为820-850℃;所述第二预扩散温度为730-780℃,所述第二推进扩散温度为760-810℃。
3.根据权利要求1或2所述的碱抛光PERC电池制作工艺,其特征在于,所述第一预扩散步骤中,向扩散炉内通入POCl3与O2进行恒定源扩散,POCl3的流量为300-1000sccm,O2的流量300-1000sccm,时间为5-10min;所述第一推进扩散步骤中,向扩散炉内通入N2,时间为5-10min。
4.根据权利要求3所述的碱抛光PERC电池制作工艺,其特征在于,所述第二预扩散步骤中,向扩散炉内通入POCl3与O2进行恒定源扩散,POCl3的流量为300-1000sccm,O2的流量300-1000sccm,时间为5-15min;所述第二推进扩散步骤中,向扩散炉内通入N2,时间为5-15min。
5.根据权利要求1或2所述的碱抛光PERC电池制作工艺,其特征在于,第一次磷扩散后硅片的方阻为110-150Ω;重掺杂后硅片的重掺区方阻为80-120Ω;第二次磷扩散后硅片的重掺区方阻为70-110Ω,轻掺区方阻为110-150Ω。
6.根据权利要求1或2所述的碱抛光PERC电池制作工艺,其特征在于,所述碱抛光步骤中,所述碱液为0.5wt%-2wt%的KOH或NaOH以及0.5wt%-2wt%的抛光添加剂溶液。
7.根据权利要求1或2所述的碱抛光PERC电池制作工艺,其特征在于,所述正、背面镀膜步骤中,沉积于所述硅片正面的正面减反射膜为SiNx,沉积于所述硅片背面钝化膜及背面减反射膜分别为Al2O3与SiNx。
8.根据权利要求1或2所述的碱抛光PERC电池制作工艺,其特征在于,所述去背面PSG步骤与所述去正面PSG步骤中,均采用体积浓度为5%-10%的HF溶液进行磷硅玻璃的去除。
9.根据权利要求1或2所述的碱抛光PERC电池制作工艺,其特征在于,所述激光开槽步骤中,开槽激光的光斑为25-40μm。
10.根据权利要求1或2所述的碱抛光PERC电池制作工艺,其特征在于,所述制绒步骤中,先采用3wt%-15wt%的双氧水和1wt%-5wt%的NaOH溶液进行粗抛;然后在0.5wt%-5wt%的NaOH和0.1wt%-1wt%的制绒添加剂溶液进行制绒,在所述硅片表面形成绒面;再采用体积浓度为5%-8%的HF溶液和体积浓度为5%-10%HCL溶液去除硅片表面的金属离子杂质,并清洗烘干。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的