[发明专利]一种应用于深亚微米级电路静电防护的可控硅器件在审
| 申请号： | 202011349222.6 | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112466938A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 曾传滨;李晓静;闫薇薇;高林春;倪涛;单梁;王加鑫;李多力;赵发展;罗家俊;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及可控硅静电保护技术领域，具体涉及一种应用于深亚微米级电路静电防护的可控硅器件。该结构中，N型阱区中的上部并排设置有第一N型重掺杂区和第一P型重掺杂区，以形成第一空白掺杂区；P型阱区中的上部并排设置有第二N型重掺杂区和第二P型重掺杂区，以形成第二空白掺杂区；多晶硅与第一空白掺杂区存在重合区域，且覆盖第二空白掺杂区的顶部；硅化物阻隔层与第一P型重掺杂区存在重合区域，并与多晶硅存在重合区域，还覆盖第二空白掺杂区的顶部中多晶硅未覆盖区域。本发明利用硅化物阻挡层良好的限流能力，提高了SCR泄放静电电流的能力，并且使SCR具备较低维持电压，满足了深亚微米级电路静电放电保护要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 微米 电路 静电 防护 可控硅 器件 | ||
【主权项】：
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