[发明专利]一种应用于深亚微米级电路静电防护的可控硅器件在审
| 申请号： | 202011349222.6 | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112466938A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 曾传滨;李晓静;闫薇薇;高林春;倪涛;单梁;王加鑫;李多力;赵发展;罗家俊;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 微米 电路 静电 防护 可控硅 器件 | ||
1.一种应用于深亚微米级电路静电防护的可控硅器件，其特征在于，包括：叠放设置的硅化物阻隔层、多晶硅、硅膜层、埋氧层和硅衬底层；
所述硅膜层中沿左右方向相邻设置有N型阱区和P型阱区；
所述N型阱区中的上部并排设置有第一N型重掺杂区和第一P型重掺杂区，以在所述N型阱区中靠近所述P型阱区的一角形成第一空白掺杂区；
所述P型阱区中的上部并排设置有第二N型重掺杂区和第二P型重掺杂区，以在所述P型阱区中靠近所述N型阱区的一角形成第二空白掺杂区；
所述多晶硅与所述第一空白掺杂区存在重合区域，且覆盖所述第二空白掺杂区的顶部；
所述硅化物阻隔层与所述第一P型重掺杂区存在重合区域，并与所述多晶硅存在重合区域，还覆盖所述第二空白掺杂区的顶部中所述多晶硅未覆盖区域。
2.根据权利要求1所述的应用于深亚微米级电路静电防护的可控硅器件，其特征在于，所述N型阱区和所述P型阱区相邻设置或间隔设置。
3.根据权利要求1所述的应用于深亚微米级电路静电防护的可控硅器件，其特征在于，所述N型阱区的厚度和所述P型阱区的厚度均不超过所述硅膜层的厚度。
4.根据权利要求1所述的应用于深亚微米级电路静电防护的可控硅器件，其特征在于，所述第一N型重掺杂区和所述第一P型重掺杂区相邻设置或间隔设置。
5.根据权利要求1所述的应用于深亚微米级电路静电防护的可控硅器件，其特征在于，所述第二N型重掺杂区和所述第二P型重掺杂区相邻设置或间隔设置。
6.根据权利要求1所述的应用于深亚微米级电路静电防护的可控硅器件，其特征在于，所述硅化物阻隔层的最大厚度大于所述多晶硅的厚度。
7.根据权利要求6所述的应用于深亚微米级电路静电防护的可控硅器件，其特征在于，所述硅化物阻隔层的宽度大于所述第一空白掺杂区的顶部端面的宽度。
8.根据权利要求7所述的应用于深亚微米级电路静电防护的可控硅器件，其特征在于，所述多晶硅的宽度大于所述第二空白掺杂区的顶部端面的宽度。
9.根据权利要求1所述的应用于深亚微米级电路静电防护的可控硅器件，其特征在于，所述N型阱区的掺杂浓度和所述P型阱区的掺杂浓度均为1e15/cm3至1e18/cm3。
10.根据权利要求1所述的应用于深亚微米级电路静电防护的可控硅器件，其特征在于，所述第一N型重掺杂区的掺杂浓度、所述第二N型重掺杂区的掺杂浓度、所述第一P型重掺杂区的掺杂浓度和所述第二P型重掺杂区的掺杂浓度均大于1e18/cm3。
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