[发明专利]一种基于手性TDBC包覆的单银纳米线结构设计方法在审
| 申请号： | 202011330374.1 | 申请日： | 2020-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN112487628A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 胡燕祝;王松;宋钢;康慧兵 | 申请（专利权）人： | 北京邮电大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;B22F1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100876 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及基于手性TDBC包覆的单银纳米线结构设计方法，是一种对单银纳米线结构的设计，属于光学和信号处理领域，其特征在于采用如下步骤：(1)确定手性TDBC的介电常数；(2)确定单银纳米线的SPP模式；(3)确定判断结构的有效指标；(4)确定传播长度；(5)确定最大Δn'/n'和|ΔL/L|。本发明考虑了被左TDBC和右TDBC覆盖的两根银纳米线的系统，利用时域有限差分法进行模态分析，证明本结构在色散和传播长度上具有出色的表现，其次，采用两种模式进行分析，使得手性分子在色散关系和传播长度方面都非常出色，提高系统分析预测的准确度和有效性，在手性分子检测中具有潜在的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 手性 tdbc 纳米 结构设计 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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