[发明专利]一种基于手性TDBC包覆的单银纳米线结构设计方法

权利要求书

1.一种基于手性TDBC包覆的单银纳米线结构设计方法，特征在于：(1)确定手性TDBC的介电常数；(2)确定单银纳米线的SPP模式；(3)确定判断结构的有效指标；(4)确定传播长度；(5)确定最大Δn'/n'和|ΔL/L|；具体包括以下五个步骤：

步骤一：确定手性TDBC的介电常数ε_TDBC：

式中，i指的是左或者右，n_bg为背景的索引，w_i是手性TDBC的共振频率，γ_i是手性TDBC的阻尼系数，f_i是振荡器强度，受到手性TDBC摩尔浓度的影响，w是入射光的频率；

步骤二：确定单银纳米线的SPP模式：

对于单银纳米线的无限手性TDBC涂层，即手性TDBC的厚度趋近无穷的情况下：

式中，H_m为对本征矩求解边界积分，J_m为对本征矩求解雅克比变换，H'_m为对H_m进行求导运算，J'_m为对J_m进行求导运算，k_z是SPP模式的本征矩，其数量为m，是Ag圆柱体内部的横向动量，是Ag圆柱体外部的横向动量，ε_Ag是银的介电常数，是Ag圆柱体内部的总动量，是Ag圆柱体外部的总动量，c是光速，R是银纳米线的半径；

步骤三：确定判断结构的有效指标n_eff：

n_eff＝n'+iΔn'＝k_z/k₀；

式中，k₀＝w/c，n'包含为左TDBCn'_ALM和右TDBCn'_ARM，Δn'是ALM和ARM之间有效索引间的实部最大差；

步骤四：确定传播长度L：

步骤五：确定最大Δn'/n'和|ΔL/L|：

在不同的半径的模式下，根据不同的半径，确定最大化的Δn'/n'和|ΔL/L|：

Δn'/n'＝max{n'_p-n'_q}/n'；

|ΔL/L|＝(L_p-L_q)|/L；

式中，p和q表示实验的次数，L_p和L_q分别表示在不同的模式下，相对应的传播长度。