[发明专利]一种基于手性TDBC包覆的单银纳米线结构设计方法在审
申请号: | 202011330374.1 | 申请日: | 2020-11-24 |
公开(公告)号: | CN112487628A | 公开(公告)日: | 2021-03-12 |
发明(设计)人: | 胡燕祝;王松;宋钢;康慧兵 | 申请(专利权)人: | 北京邮电大学 |
主分类号: | G06F30/20 | 分类号: | G06F30/20;B22F1/00 |
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地址: | 100876 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 手性 tdbc 纳米 结构设计 方法 | ||
本发明涉及基于手性TDBC包覆的单银纳米线结构设计方法,是一种对单银纳米线结构的设计,属于光学和信号处理领域,其特征在于采用如下步骤:(1)确定手性TDBC的介电常数;(2)确定单银纳米线的SPP模式;(3)确定判断结构的有效指标;(4)确定传播长度;(5)确定最大Δn'/n'和|ΔL/L|。本发明考虑了被左TDBC和右TDBC覆盖的两根银纳米线的系统,利用时域有限差分法进行模态分析,证明本结构在色散和传播长度上具有出色的表现,其次,采用两种模式进行分析,使得手性分子在色散关系和传播长度方面都非常出色,提高系统分析预测的准确度和有效性,在手性分子检测中具有潜在的应用。
技术领域
本发明涉及光学和信号处理领域,主要是一种对单银纳米线结构的设计方法。
背景技术
目前,在手性环境中,对映构体通常表现出不同的特性,尤其在与手性化合物相互作用时,表现出两种不同的特性,因此,对于手性传感器的研究具有重要的意义。针对手性分子的识别,传统的方法是采用色谱法、毛细管电泳法、圆二色性法等,这些方法不仅响应消耗的时间长,并且成本高昂,极大程度上浪费了人力物力。随着纳米技术的发展,将纳米技术应用到手性分子的识别上,是一项重大的突破。
将结合银物质的纳米技术应用到手性传感器中,是当今研究的热点。手性分子广泛存在于医疗、化工、物理以及生活生产实践的各个方面,正因为手性分子在各个性质上表现出不同的特性,探索一种正确、简单、快捷以及灵敏的结构以及方法对手性分子进行检测,是至关重要的。研究手性分子与银纳米线的色散、以及传播距离的变化,对合理恰当的应用光纤技术具有一定的推动作用。现有的光纤技术,通信容量大、耗损率低,抗电磁干扰能力强,保密能力和安全性能好,建立一种新的设计方法,进一步加强光纤的优点,扩大光纤的应用范围。因此,要对光纤信息的传输进行优化,保证传输质量,延长传输过程的传播长度,必须要设计一种高效、准确、灵敏的结构,有效的减少识别时间,提高手性分子识别准确率,提升手性分子识别的灵敏度,为光纤传感技术的众多应用领域提供实时、准确的手性分子识别,对行业技术的发展提供一定的支持。
发明内容
针对上述现存技术中存在的问题,本发明要解决的技术问题是提供一种基于手性TDBC包覆的单银纳米线结构设计方法,其主要的模型图如图1所示。
技术方案实施步骤如下:
(1)确定手性TDBC的介电常数εTDBC:
式中,i指的是左或者右,为背景的索引,wi是手性TDBC的共振频率,γi是手性TDBC的阻尼系数,fi是振荡器强度,受到手性TDBC摩尔浓度的影响,w是入射光的频率。
(2)确定单银纳米线的SPP模式:
对于单银纳米线的无限手性TDBC涂层,即手性TDBC的厚度趋近无穷的情况下:
式中,Hm为对本征矩求解边界积分,Jm为对本征矩求解雅克比变换,H'm为对Hm进行求导运算,J'm为对Jm进行求导运算,kz是SPP模式的本征矩,其数量为m,是Ag圆柱体内部的横向动量,是Ag圆柱体外部的横向动量,是银的介电常数,是Ag圆柱体内部的总动量,是Ag圆柱体外部的总动量,c是光速,R是银纳米线的半径。
(3)确定判断结构的有效指标neff:
neff=n'+in'=kz/k0
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