[发明专利]一种扩散设备及其加热控制方法在审
| 申请号： | 202011301161.6 | 申请日： | 2020-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN114520162A | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 李殷廷;李亭亭;项金娟;田光辉;丁云凌;王佳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/22;C30B31/00 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供一种扩散设备及其加热控制方法，该扩散设备包括：扩散炉体，用于放置待扩散加工的晶圆，扩散炉体内自上而下划分成多个加热区域；多个加热装置，用于给扩散炉体加热，依照扩散炉体的高度方向设置在扩散炉体的侧壁上，且加热装置与加热区域一一对应设置；多个监测装置，与多个加热装置一一对应设置，用于监测加热装置中加热电阻的阻值，并将加热电阻的阻值发送给报警装置；报警装置，用于将加热电阻的阻值与预设阻值进行比较，若比较结果符合预设条件则报警。本公开的扩散设备，通过对加热电阻的阻值进行监测，在品质事故发生前可以感知风险，从而将工艺不良风险在事前予以排除，避免损失。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 扩散 设备 及其 加热 控制 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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