[发明专利]一种扩散设备及其加热控制方法在审
| 申请号: | 202011301161.6 | 申请日: | 2020-11-19 |
| 公开(公告)号: | CN114520162A | 公开(公告)日: | 2022-05-20 |
| 发明(设计)人: | 李殷廷;李亭亭;项金娟;田光辉;丁云凌;王佳 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/22;C30B31/00 |
| 代理公司: | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人: | 刘广达 |
| 地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 扩散 设备 及其 加热 控制 方法 | ||
本公开提供一种扩散设备及其加热控制方法,该扩散设备包括:扩散炉体,用于放置待扩散加工的晶圆,扩散炉体内自上而下划分成多个加热区域;多个加热装置,用于给扩散炉体加热,依照扩散炉体的高度方向设置在扩散炉体的侧壁上,且加热装置与加热区域一一对应设置;多个监测装置,与多个加热装置一一对应设置,用于监测加热装置中加热电阻的阻值,并将加热电阻的阻值发送给报警装置;报警装置,用于将加热电阻的阻值与预设阻值进行比较,若比较结果符合预设条件则报警。本公开的扩散设备,通过对加热电阻的阻值进行监测,在品质事故发生前可以感知风险,从而将工艺不良风险在事前予以排除,避免损失。
技术领域
本公开涉及半导体技术领域,具体涉及一种扩散设备及其加热控制方法、计算机可读存储介质。
背景技术
在半导体器件的制备工艺中,扩散工艺是最主要的掺杂工艺,它是在高温条件下,将磷、硼等原子扩散到晶圆内,从而改变和控制半导体内杂质的类型、浓度和分布,以便建立起不同的电特性区域。现有的扩散工艺绝大部分都是以批次型处理方式进行的,即将多个批次的上百片晶圆同时放入扩散炉中进行扩散处理,由此可以极大提高生产效率。但潜在的风险是,一旦设备出现故障或工艺出现异常,受到影响的晶圆数量也是成倍增加,因而对半导体扩散设备的管理需格外严格,要尽力将潜在的易引起工艺不良的风险在事前予以排除。
现有技术中,扩散设备的温度控制器本身没有可以确认加热电阻是否正常的监测装置;可能发生加热电阻断线或缠绕长所致的电阻问题引起半导体品质不良,发生品质事故后才能进行原因分析与电阻确认,造成一定的损失。
发明内容
本公开的目的是提供一种扩散设备及其加热控制方法、计算机可读存储介质。
本公开第一方面提供一种扩散设备,包括:
扩散炉体,用于对放置其中的晶圆进行扩散加工,所述扩散炉体内自上而下划分成多个加热区域;
多个加热装置,用于给所述扩散炉体加热,依照所述扩散炉体的高度方向设置在所述扩散炉体的侧壁上,且所述加热装置与所述加热区域一一对应设置;
多个监测装置,与多个所述加热装置一一对应设置,用于监测所述加热装置中加热电阻的阻值,并将所述加热电阻的阻值发送给报警装置;
所述报警装置,用于将所述加热电阻的阻值与预设阻值进行比较,若比较结果符合预设条件则报警。
根据本公开的一些实施方式中,所述扩散设备还包括:
多个温度测量装置,依照所述扩散炉体的高度方向设置,且所述温度测量装置与所述加热区域一一对应设置,用于测量对应的所述加热区域的温度。
根据本公开的一些实施方式中,所述温度测量装置包括热电偶。
根据本公开的一些实施方式中,所述扩散设备还包括:
温度控制器,与所述多个温度测量装置和报警装置连接,用于根据所述温度测量装置测得的温度值或者报警装置发送的报警信息,对所述加热装置进行控制。
根据本公开的一些实施方式中,所述扩散设备还包括:
电源,所述电源与多个加热装置及温度控制器连接。
本公开第二方面提供一种扩散设备的加热控制方法,包括:
利用监测装置监测扩散炉体的至少一个加热装置中加热电阻的阻值,并将所述加热电阻的阻值发送给报警装置;
所述报警装置将所述加热电阻的阻值与预设阻值进行比较,若比较结果符合预设条件则报警。
根据本公开的一些实施方式中,所述方法还包括:
利用温度测量装置测量扩散炉体中对应的加热区域的温度;
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