[发明专利]一种氮化镓基功率器件的新型制备方法在审
| 申请号： | 202011300733.9 | 申请日： | 2020-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN112563136A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 郝惠莲 | 申请（专利权）人： | 上海工程技术大学 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/3065;H01L29/778 |
| 代理公司： | 上海唯智赢专利代理事务所(普通合伙) 31293 | 代理人： | 姜晓艳 |
| 地址： | 201620 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体的技术领域，公开了一种氮化镓基功率器件的新型制备方法，在衬底上生长氮化镓外延层，然后，在所述氮化镓外延层上依次生长第一氮化镓铝外延层、第二氮化镓铝外延层，再利用刻蚀停止工艺对第一氮化镓铝外延层进行刻蚀形成表面平整的栅极凹槽，刻蚀停止在第二氮化镓铝外延层上，最后，制备漏电极、源电极和栅电极，完成器件制备。本发明的制备方法优化的外延生长方案，同时搭配刻蚀停止技术，既能加快刻蚀过程，又能保证刻蚀深度均匀、一致，从而使整个晶圆上的器件得到均匀的阈值电压分布，对凹槽法的产业化应用提供了更好的选择。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 功率 器件 新型 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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