[发明专利]一种氮化镓基功率器件的新型制备方法

权利要求书

1.一种氮化镓基功率器件的新型制备方法，其特征在于：在衬底上生长氮化镓外延层，然后，在所述氮化镓外延层上依次生长第一氮化镓铝外延层、第二氮化镓铝外延层，再利用刻蚀停止工艺对第一氮化镓铝外延层进行刻蚀形成表面平整的栅极凹槽，刻蚀停止在第二氮化镓铝外延层上，最后，制备漏电极、源电极和栅电极，完成器件制备。

2.根据权利要求1所述的氮化镓基功率器件的新型制备方法，其特征在于：所述第一氮化镓铝外延层的铝组分含量小于第二氮化镓铝外延层的铝组分含量，所述刻蚀停止工艺设置为采用以氯气、氧气和氩气的气体组合气体为刻蚀气体的干法刻蚀工艺对第一氮化镓铝外延层进行刻蚀，形成栅极凹槽，刻蚀停止在第二氮化镓铝外延层上。

3.根据权利要求2所述的氮化镓基功率器件的新型制备方法，其特征在于：所述第二氮化镓铝外延层的铝组分含量大于20％，其厚度设置为1-30nm；所述第一氮化镓铝外延层的铝组分含量小于20％，其厚度设置为1-100nm。

4.根据权利要求1所述的氮化镓基功率器件的新型制备方法，其特征在于：在所述栅极凹槽上先覆盖一层栅介质层后，再制备栅电极。

5.根据权利要求1所述的氮化镓基功率器件的新型制备方法，其特征在于包括以下步骤：

步骤一、在衬底上依次外延生长氮化镓外延层、第一氮化镓铝外延层和第二氮化镓铝外延层，再进行光刻，然后刻蚀第一氮化镓铝外延层和第二氮化镓铝外延层的边缘部分至氮化镓外延层；

步骤二、利用刻蚀停止工艺对第一氮化镓铝外延层进行刻蚀形成表面平整的栅极凹槽，刻蚀停在第二氮化镓铝外延层上；

步骤三、制备源电极、漏电极和栅电极；

步骤四、沉积钝化层，然后进行光刻，再刻蚀去处掉源电极、漏电极和栅电极上的钝化层，完成器件制备。

6.根据权利要求5所述的氮化镓基功率器件的新型制备方法，其特征在于：采用以氯气、氧气和氩气的气体组合气体为刻蚀气体的干法刻蚀工艺对第一氮化镓铝外延层进行刻蚀，形成栅极凹槽，刻蚀停止在第二氮化镓铝外延层上。

7.根据权利要求5所述的氮化镓基功率器件的新型制备方法，其特征在于：所述衬底采用Si、蓝宝石或者SiC材料制成。

8.根据权利要求5所述的氮化镓基功率器件的新型制备方法，其特征在于：所述源电极、漏电极和栅电极均利用电子束蒸发设备蒸镀制成，所述源电极、漏电极设置为欧姆接触电极，均采用Ti/Al/Ti/Au或者Ti/Al/Ni/Au金属材料制成，所述栅电极设置为肖特基接触电极，采用Ni/Au或者Ni/Pt/Au金属材料制成。