[发明专利]存储器装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202011251465.6 | 申请日： | 2020-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN114447107A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 曾碧山 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L27/088;H01L21/8234;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器装置及其制造方法，其中存储器装置包括衬底、第一及第二介电结构、通道结构、源极结构及漏极结构。第一及第二介电结构设置于衬底上，且第一介电结构及第二介电结构沿第一方向彼此间隔开来。通道结构连接第一介电结构与第二介电结构。源极结构及漏极结构位于通道结构的两侧，且分别嵌入至第一介电结构及第二介电结构中，其中源极结构沿第一方向的长度对第一介电结构沿第一方向的长度的比值介于0.3至0.4之间。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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