[发明专利]存储器装置及其制造方法

说明书

本发明公开了一种存储器装置及其制造方法，其中存储器装置包括衬底、第一及第二介电结构、通道结构、源极结构及漏极结构。第一及第二介电结构设置于衬底上，且第一介电结构及第二介电结构沿第一方向彼此间隔开来。通道结构连接第一介电结构与第二介电结构。源极结构及漏极结构位于通道结构的两侧，且分别嵌入至第一介电结构及第二介电结构中，其中源极结构沿第一方向的长度对第一介电结构沿第一方向的长度的比值介于0.3至0.4之间。

技术领域

本发明内容是有关于一种存储器装置及一种存储器装置的制造方法。

背景技术

近年来，半导体装置的结构不断改变，且半导体装置的存储容量不断增加。存储器装置被应用于许多产品(例如MP3播放器、数码相机及计算机档案等)的存储元件中。随着这些应用的增加，存储器装置的需求集中在小尺寸与大存储容量上。为了满足此条件，需要具有高元件密度与小尺寸的存储器装置及其制造方法。此外，源极/漏极的对准对于改善存储器装置的阈值尺寸亦是关键的。

发明内容

本发明为一种存储器装置及一种存储器装置的制造方法。

根据本发明一些实施方式，一种存储器装置包括衬底、第一及第二介电结构、通道结构、源极结构及漏极结构。第一及第二介电结构设置于衬底上，且第一介电结构及第二介电结构沿第一方向彼此间隔开来。通道结构连接第一介电结构与第二介电结构。源极结构及漏极结构位于通道结构的两侧，且分别嵌入至第一介电结构及第二介电结构中，其中源极结构沿第一方向的长度对第一介电结构沿第一方向的长度的比值介于0.3至0.4之间。

在本发明一些实施方式中，源极结构及漏极结构各自沿第一方向的长度介于50nm至100nm之间。

在本发明一些实施方式中，通道结构在俯视角度下的形状为长方形，且源极结构及漏极结构各自在俯视角度下的形状实质上为圆形。

在本发明一些实施方式中，源极结构及漏极结构各自包括单晶硅，通道结构包括多晶硅，且通道结构与源极结构及漏极结构之间各自具有不规则界面。

在本发明一些实施方式中，存储器装置还包括存储器结构层以及导电层。存储器结构层由第一介电结构的侧壁延伸至第二介电结构的侧壁，其中第一介电结构的侧壁面对第二介电结构的侧壁。导电层由第一介电结构的侧壁延伸至第二介电结构的侧壁，其中存储器结构层位于通道结构与导电层之间。

根据本发明另一些实施方式，一种存储器装置包括衬底、多个导电层及多个介电层、存储器结构以及第一介电结构及第二介电结构。导电层及介电层交错叠层于衬底上。存储器结构穿过导电层及介电层，其中存储器结构包括两通道结构、两源极结构以及两漏极结构。两通道结构彼此平行延伸，其中通道结构具有相对的第一侧及第二侧。两源极结构分别位于两通道结构的第一侧。两漏极结构分别位于两通道结构的第二侧，其中漏极结构与源极结构沿第一方向实质上对齐。第一介电结构及第二介电结构设置于衬底上，且位于存储器结构的相对两侧，其中源极结构及漏极结构别嵌入至第一介电结构及第二介电结构中。

在本发明一些实施方式中，通道结构彼此沿第二方向实质上对齐，且第二方向垂直于第一方向。

在本发明一些实施方式中，存储器装置还包括第二绝缘结构，穿过导电层及介电层，其中第二绝缘结构的多个部分夹置于这些介电层之间。

根据本发明另一些实施方式，一种存储器装置的制造方法，包括：形成柱状结构于衬底上，其中柱状结构包括两通道层沿第一方向彼此平行延伸；形成第一沟道及第二沟道穿过柱状结构，使得两通道结构形成，通道结构的第一侧由第一沟道裸露，且通道结构的第二侧由第二沟道裸露；以及外延生长源极结构于通道结构的第一侧以及漏极结构于通道结构的第二侧，使得源极结构与漏极结构沿第一方向实质上对齐。

在本发明一些实施方式中，形成第一沟道及第二沟道使得第一沟道及第二沟道各自沿第二方向的宽度大于柱状结构沿第二方向的宽度，且第二方向垂直于第一方向。