[发明专利]存储器装置及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器装置，其中，包括：

一衬底；

一第一介电结构及一第二介电结构，设置于该衬底上，且该第一介电结构及该第二介电结构沿一第一方向彼此间隔开来；

一通道结构，连接该第一介电结构与该第二介电结构；以及

一源极结构及一漏极结构，位于该通道结构的两侧，且分别嵌入至该第一介电结构及该第二介电结构中，其中该源极结构沿该第一方向的长度对该第一介电结构沿该第一方向的长度的一比值介于0.3至0.4之间。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，该源极结构及该漏极结构各自沿该第一方向的长度介于50nm至100nm之间。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，该通道结构在俯视角度下的形状为长方形，且该源极结构及该漏极结构各自在俯视角度下的形状为圆形。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，该通道结构包括多晶硅，该源极结构及该漏极结构各自包括单晶硅，且该通道结构与该源极结构及该漏极结构之间各自具有一不规则界面。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，还包括：

一存储器结构层，由该第一介电结构的一侧壁延伸至该第二介电结构的一侧壁，其中该第一介电结构的该侧壁面对该第二介电结构的该侧壁；以及

一导电层，由该第一介电结构的该侧壁延伸至该第二介电结构的该侧壁，其中该存储器结构层位于该通道结构与该导电层之间。

6.一种存储器装置，其中，包括：

一衬底；

多个导电层及多个介电层，交错叠层于该衬底上；

一存储器结构，穿过这些导电层及这些介电层，其中该存储器结构包括：

两通道结构，彼此平行延伸，其中每一这些通道结构具有相对的一第一侧及一第二侧；

两源极结构，分别位于这些通道结构的这些第一侧；以及

两漏极结构，分别位于这些通道结构的这些第二侧，其中这些漏极结构与这些源极结构沿一第一方向对齐；以及

一第一介电结构及一第二介电结构，设置于该衬底上，且位于该存储器结构的相对两侧，其中这些源极结构及这些漏极结构别嵌入至该第一介电结构及该第二介电结构中。

7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，这些通道结构彼此沿一第二方向对齐，且该第二方向垂直于该第一方向。

8.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，还包括：

一第二绝缘结构，穿过这些导电层及这些介电层，其中该第二绝缘结构的多个部分夹置于这些介电层之间。

9.一种存储器装置的制造方法，其中，包括：

形成一柱状结构于一衬底上，其中该柱状结构包括两通道层沿一第一方向彼此平行延伸；

形成一第一沟道及一第二沟道穿过该柱状结构，使得两通道结构形成，每一这些通道结构的一第一侧由该第一沟道裸露，且每一这些通道结构的一第二侧由该第二沟道裸露；以及

外延生长一源极结构于每一这些通道结构的该第一侧以及一漏极结构于每一这些通道结构的该第二侧，使得该源极结构与该漏极结构沿一第一方向对齐。

10.根据权利要求9所述的存储器装置的制造方法，其中，形成该第一沟道及该第二沟道使得该第一沟道及该第二沟道各自沿一第二方向的宽度大于该柱状结构沿该第二方向的宽度，且该第二方向垂直于该第一方向。