[发明专利]LDMOS器件的形成方法有效
| 申请号： | 202011247661.6 | 申请日： | 2020-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN112216613B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 方明旭;陈瑜;陈华伦 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 黎伟 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种LDMOS器件的形成方法，包括：在第一区域的外延层中形成第一离子掺杂区，去除第一区域的第一氧化层，该外延层上形成有第一氧化层；在外延层和剩余的第一氧化层上形成第二氧化层；在第二区域的外延层中形成第二离子掺杂区，第一区域和第二区域没有交叠区域；在第二氧化层上形成多晶硅层；去除第三区域的多晶硅层、第一氧化层和第二氧化层。本申请通过在形成第一离子掺杂区后，保留除第一离子掺杂区以外其它区域的第一氧化层，从而使形成得到的LDMOS器件的栅氧呈台阶型，增加了栅极和第二离子掺杂区的交叠区域上的栅氧的厚度，从而降低了LDMOS器件的栅感应漏电流，进而提高了器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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