[发明专利]LDMOS器件的形成方法

权利要求书

1.一种LDMOS器件的形成方法，其特征在于，包括：

在第一区域的外延层中形成第一离子掺杂区，去除所述第一区域的第一氧化层，所述外延层上形成有第一氧化层；

在所述外延层和剩余的第一氧化层上形成第二氧化层；

在第二区域的外延层中形成第二离子掺杂区，所述第一区域和所述第二区域没有交叠区域；

在所述第二氧化层上形成多晶硅层；

去除第三区域的多晶硅层、第一氧化层和第二氧化层，剩余的第一氧化层和第二氧化层形成所述LDMOS器件的栅氧，剩余的多晶硅层形成所述LDMOS器件的栅极，所述栅氧和所述栅极为台阶型，所述栅氧和所述栅极在横向上的长度相等，所述栅氧中预定区域的厚度大于其它区域的厚度，所述预定区域是所述栅极与所述第二离子掺杂区的交叠区域；

在所述第一离子掺杂区中形成第三离子掺杂区，在所述第二离子掺杂区中形成第四离子掺杂区，所述第三离子掺杂区和所述第四离子掺杂区的掺杂浓度大于所述第一离子掺杂区和所述第二离子掺杂区；

其中，所述第一离子掺杂区注入的杂质包括第一离子，所述外延层、所述第二离子掺杂区、所述第三离子掺杂区和所述第四离子掺杂区的注入的杂质包括第二离子，所述第一离子和所述第二离子的类型不同。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在第一区域的外延层中形成第一离子掺杂区，去除所述第一区域的第一氧化层，包括：

采用光刻工艺在所述第一氧化层上覆盖光阻，暴露出所述第一区域；

以光阻为掩模，采用第一离子注入工艺将包含第一离子的杂质注入至所述第一区域，在所述外延层中形成第一离子掺杂区；

去除所述第一区域的第一氧化层和光阻。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述去除所述第一区域的第一氧化层，包括：

采用湿法刻蚀工艺去除所述第一区域的第一氧化层。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在第二区域的外延层中形成第二离子掺杂区，包括：

采用光刻工艺在所述第二氧化层上覆盖光阻，暴露出所述第二区域；

以光阻为掩模，采用第二离子注入工艺将包含第二离子的杂质注入至所述第二区域，在所述外延层中形成第二离子掺杂区；

去除光阻。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述去除第三区域的多晶硅层、第一氧化层和第二氧化层，包括：

采用光刻工艺在所述多晶硅层上覆盖光阻，暴露出所述第三区域；

以光阻为掩模进行刻蚀，直至所述第三区域的外延层暴露；

去除光阻。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在第一区域的外延层中形成第一离子掺杂区之前，还包括：

采用RTO工艺在所述外延层上形成所述第一氧化层。

7.根据权利要求1至6任一所述的方法，其特征在于，所述外延层形成于衬底上，所述外延层中还形成有第五离子掺杂区，所述第五离子掺杂区形成于所述第一离子掺杂区和所述第二离子掺杂区下方。