[发明专利]半导体测试结构及半导体钝化层的质量测试方法有效
| 申请号： | 202011242883.9 | 申请日： | 2020-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN112103202B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 周山;王丽雅;俞佩佩 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济技术开*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体测试结构及半导体钝化层的质量测试方法，所述半导体测试结构包括：第一金属层，所述第一金属层包括至少一个蛇形结构；绝缘层，覆盖于所述第一金属层上且填满所述蛇形结构的间隙；第二金属层，形成于所述绝缘层上，所述第二金属层包括两个相对交错设置的梳形结构，且两个所述梳形结构的梳齿之间相互穿插；钝化层，覆盖于所述第二金属层上及所述梳形结构的梳齿间隙所暴露出的绝缘层上；多个焊盘，分别与所述第一金属层和所述第二金属层的两端连接。本发明的技术方案能够及时确认所述钝化层中是否存在缺陷，缩短了测试周期，从而降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 测试 结构 钝化 质量 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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