[发明专利]半导体测试结构及半导体钝化层的质量测试方法

权利要求书

1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括：

第一金属层，所述第一金属层包括至少一个蛇形结构；

绝缘层，覆盖于所述第一金属层上且填满所述蛇形结构的间隙；

第二金属层，形成于所述绝缘层上，所述第二金属层包括两个相对交错设置的梳形结构，且两个所述梳形结构的梳齿之间相互穿插；

钝化层，覆盖于所述第二金属层上以及所述梳形结构的梳齿间隙所暴露出的绝缘层上；以及，

多个焊盘，分别与所述蛇形结构的两端和所述梳形结构的梳背连接。

2.如权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述蛇形结构包括多条平行的第一金属线和多条平行的第二金属线，相邻两条所述第一金属线之间通过所述第二金属线相连接，所述第一金属线垂直于所述第二金属线。

3.如权利要求2所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第一金属线和所述第二金属线的宽度为工艺所允许的金属线的最小宽度，相邻两条所述第一金属线之间的间隙宽度为工艺所允许的最小间隙宽度。

4.如权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，每个所述梳形结构包括多条依次排列的梳齿以及连接每条梳齿的同一端的梳背，两个所述梳形结构的梳背相互平行，且所述梳齿垂直于所述梳背。

5.如权利要求4所述的半导体测试结构，其特征在于，两个相对交错设置的所述梳形结构中的至少一个具有不等的梳齿间隙。

6.如权利要求5所述的半导体测试结构，其特征在于，所述梳齿间隙按照所述梳齿排列位置依次增大，所述梳齿间隙最小值为工艺所允许的最小宽度。

7.如权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述钝化层包括依次覆盖于所述第二金属层上的氧化物层和氮化物层以及形成于所述氧化物层中的氧化填充层，所述氧化填充层的顶面与所述氧化物层的顶面齐平，且所述氧化填充层位于所述梳齿间隙的上方。

8.如权利要求7所述的半导体测试结构，其特征在于，所述绝缘层还填满所述梳齿间隙，所述氧化填充层的底部与所述梳齿间隙处的所述绝缘层的顶部接触；或者，所述绝缘层对所述梳齿间隙部分填充，所述氧化填充层的底部与所述梳齿间隙处的所述绝缘层的顶部之间还夹有所述氧化物层。

9.一种半导体钝化层的质量测试方法，其特征在于，包括：

提供包含如权利要求1至8中任一项所述的半导体测试结构的测试样品；

对所述测试样品进行初步测试，以获得所述第一金属层的电阻以及所述第二金属层的电容；

对所述测试样品进行温度循环实验；

对所述温度循环实验后的所述测试样品进行再次测试，以获得所述第一金属层的电阻以及所述第二金属层的电容；以及，

计算所述第一金属层实验前后的电阻差值以及所述第二金属层实验前后的电容差值，若电阻差值和/或电容差值超出规格值，则所述钝化层中存在缺陷；若电阻差值和电容差值均未超出规格值，则所述钝化层中不存在缺陷。

10.如权利要求9所述的半导体钝化层的质量测试方法，其特征在于，对所述测试样品进行初步测试和再次测试的步骤包括：

向所述第二金属层的两个相对交错设置的梳形结构分别施加相应的电压信号，以获得第二金属层的电容；以及，

向所述第一金属层的蛇形结构中施加电流信号和/或向所述蛇形结构的两端分别施加相应的电压信号，以获得所述第一金属层的电阻。