[发明专利]一种单晶生长过程压力监控系统有效
| 申请号： | 202011240163.9 | 申请日： | 2020-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN112362222B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨晶创科技有限公司 |
| 主分类号： | G01L11/00 | 分类号： | G01L11/00;G01M3/28;G01D21/02;H02K7/116;H02K7/10;H02K7/06 |
| 代理公司： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 韩立岩 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单晶生长过程压力监控系统，其技术方案是：包括底板，所述底板顶部固定连接有石英坩埚和储气罐，所述石英坩埚位于储气罐一侧，所述石英坩埚一侧设有压紧机构；所述压紧机构包括密封罩，所述密封罩固定连接在石英坩埚一侧，所述密封罩位于石英坩埚和储气罐内侧，所述密封罩内部嵌设有基座，一种单晶生长过程压力监控系统有益效果是：通过设置压紧机构，可在压力调节时，两个夹座同时靠近将支管和接口夹紧，保证接口和支管连接的可靠性，避免泄露发生，同时还可实时对石英坩埚、储气罐和密封罩内部进行压力监测，并可通过密封罩内部压力变化判断是否泄露，好及时通知维修。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 过程 压力 监控 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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