[发明专利]一种单晶生长过程压力监控系统有效

专利信息
申请号: 202011240163.9 申请日: 2020-11-09
公开(公告)号: CN112362222B 公开(公告)日: 2022-03-04
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 哈尔滨晶创科技有限公司
主分类号: G01L11/00 分类号: G01L11/00;G01M3/28;G01D21/02;H02K7/116;H02K7/10;H02K7/06
代理公司: 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 代理人: 韩立岩
地址: 150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 一种 生长 过程 压力 监控 系统
【说明书】:

发明公开了一种单晶生长过程压力监控系统,其技术方案是:包括底板,所述底板顶部固定连接有石英坩埚和储气罐,所述石英坩埚位于储气罐一侧,所述石英坩埚一侧设有压紧机构;所述压紧机构包括密封罩,所述密封罩固定连接在石英坩埚一侧,所述密封罩位于石英坩埚和储气罐内侧,所述密封罩内部嵌设有基座,一种单晶生长过程压力监控系统有益效果是:通过设置压紧机构,可在压力调节时,两个夹座同时靠近将支管和接口夹紧,保证接口和支管连接的可靠性,避免泄露发生,同时还可实时对石英坩埚、储气罐和密封罩内部进行压力监测,并可通过密封罩内部压力变化判断是否泄露,好及时通知维修。

技术领域

本发明涉及单晶生长技术领域,具体涉及一种单晶生长过程压力监控系统。

背景技术

单晶,是一种共价键化合物,是原子晶体,属类金刚石六方晶系,纤锌矿型的晶体结构,无毒,呈白色或灰白色,最高可稳定到2200℃。室温强度高,且强度随温度的升高下降较慢。导热性好,热膨胀系数小,是良好的耐热冲击材料。抗熔融金属侵蚀的能力强,是熔铸纯铁、铝或铝合金理想的坩埚材料。单晶还是电绝缘体,介电性能良好,用作电器元件也很有希望。

现有技术存在以下不足:目前单晶在长晶过程中,需要对其生长环境的压力进行往复调节,但在压力调节时,无法有效的对压力进行监控,以及无法有效对压力调节的安全进行保障。

因此,发明一种单晶生长过程压力监控系统很有必要。

发明内容

为此,本发明提供一种单晶生长过程压力监控系统,通过设置压紧机构,可在压力调节时,两个夹座同时靠近将支管和接口夹紧,保证接口和支管连接的可靠性,避免泄露发生,同时还可实时对石英坩埚、储气罐和密封罩内部进行压力监测,并可通过密封罩内部压力变化判断是否泄露,好及时通知维修,以解决现有技术中单晶在长晶过程中,需要对其生长环境的压力进行往复调节,但在压力调节时,无法有效的对压力进行监控,以及无法有效对压力调节的安全进行保障的问题。

为了实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种单晶生长过程压力监控系统,包括底板,所述底板顶部固定连接有石英坩埚和储气罐,所述石英坩埚位于储气罐一侧,所述石英坩埚一侧设有压紧机构;

所述压紧机构包括密封罩,所述密封罩固定连接在石英坩埚一侧,所述密封罩位于石英坩埚和储气罐内侧,所述密封罩内部嵌设有基座,所述基座与石英坩埚一侧固定连接,所述密封罩顶部固定连接有电机,所述基座顶部开设有空腔,所述电机输出轴延伸至空腔内部,所述电机输出轴底端固定连接有第一锥齿轮,所述空腔内部嵌设有转轴,所述转轴两端分别延伸至空腔两侧内部,所述转轴外侧固定套接有第二锥齿轮,所述第二锥齿轮位于第一锥齿轮底部,所述第二锥齿轮与第一锥齿轮啮合连接,所述转轴外侧固定套接有两个第三锥齿轮,两个所述第三锥齿轮分别位于第二锥齿轮两侧,所述基座两侧内壁均开设有限位槽,所述石英坩埚一侧固定连接有接口,所述接口一端设有支管,所述支管一端延伸至密封罩一侧外部,所述基座内部嵌设有两个夹座,两个所述夹座分别位于接口顶部和底部两侧,两个所述夹座两侧均固定连接有限位座,两个所述限位槽内部均嵌设有螺纹杆,所述螺纹杆套设在限位座内部,所述螺纹杆与限位座螺纹连接,两个所述螺纹杆顶端均延伸至空腔内部,两个所述螺纹杆底端均延伸至基座底部,两个所述螺纹杆顶端均固定连接有第四锥齿轮,两个所述第四锥齿轮分别位于两个第三锥齿轮底部,所述第四锥齿轮与第三锥齿轮啮合连接,所述储气罐一侧固定连接有气泵,所述气泵进气端与支管底端固定连接,所述气泵出气端固定连接有出气管,所述出气管底端与储气罐固定连接,所述支管上设有第一电磁阀,所述出气管上设有第二电磁阀;

所述石英坩埚顶部内壁固定连接有温度传感器、第一压力传感器和湿度传感器,所述第一压力传感器位于温度传感器和湿度传感器内侧,所述密封罩顶部内壁固定连接有第二压力传感器,所述储气罐顶部内壁固定连接有第三压力传感器,所述储气罐顶部固定连接有机箱,所述机箱前侧固定嵌设有显示器,所述机箱内部固定嵌设安装有中央处理器,所述机箱顶部固定连接有警报器;

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