[发明专利]芯片转移方法在审
| 申请号: | 202011229270.1 | 申请日: | 2020-11-06 |
| 公开(公告)号: | CN112366154A | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
| 发明(设计)人: | 马刚;闫晓林 | 申请(专利权)人: | 深圳市TCL高新技术开发有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L25/075 |
| 代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 黄志云 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市南山区西丽留仙洞中山园路*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本申请涉及显示技术领域,尤其涉及芯片转移方法。所述芯片转移方法包括:将混有芯片的溶液铺在预设模板上,芯片的两个芯片电极分别设置于芯片的相对的两端,两个芯片电极中的一个芯片电极镀有磁性材料,预设模板包括模板主体及贴合置于模板主体之下的基板,基板设置有基板电极,模板主体对应基板电极处开设有供芯片落入至基板电极的通孔;对铺有溶液的预设模板施加磁场,镀有磁性材料的芯片电极与基板电极接触;加热去除溶液,并移除模板主体。本申请提供的芯片转移方法,可以消除将芯片区域转移并装贴至基板时,相邻区域的芯片亮度和色差明显,导致的屏幕马赛克问题。 | ||
| 搜索关键词: | 芯片 转移 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市TCL高新技术开发有限公司,未经深圳市TCL高新技术开发有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011229270.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





