[发明专利]芯片转移方法在审

专利信息
申请号: 202011229270.1 申请日: 2020-11-06
公开(公告)号: CN112366154A 公开(公告)日: 2021-02-12
发明(设计)人: 马刚;闫晓林 申请(专利权)人: 深圳市TCL高新技术开发有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L25/075
代理公司: 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 代理人: 黄志云
地址: 518000 广东省深圳市南山区西丽留仙洞中山园路*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 芯片 转移 方法
【说明书】:

本申请涉及显示技术领域,尤其涉及芯片转移方法。所述芯片转移方法包括:将混有芯片的溶液铺在预设模板上,芯片的两个芯片电极分别设置于芯片的相对的两端,两个芯片电极中的一个芯片电极镀有磁性材料,预设模板包括模板主体及贴合置于模板主体之下的基板,基板设置有基板电极,模板主体对应基板电极处开设有供芯片落入至基板电极的通孔;对铺有溶液的预设模板施加磁场,镀有磁性材料的芯片电极与基板电极接触;加热去除溶液,并移除模板主体。本申请提供的芯片转移方法,可以消除将芯片区域转移并装贴至基板时,相邻区域的芯片亮度和色差明显,导致的屏幕马赛克问题。

技术领域

本申请属于显示技术领域,尤其涉及一种芯片转移方法。

背景技术

microled是一种尺寸为微米级别的发光二极管(LED),具有高效率、高亮度、高可靠度及反应时间快等特点。此外,microled体积小、轻薄,还能轻易实现节能的效果。基于microled的显示屏具有很好的应用前景,被称为替代液晶显示器和发光二极管显示器的下一代显示技术。

制作microled显示屏时,LED芯片的使用量巨大,通常需要将上万颗miniled芯片转移固晶。以一块4K的电视显示屏为例,其需要2488320个像素点。因此,在microled显示屏的制作工艺中,如何将微米级的microled芯片批量快速的转移并焊接到TFT线路板上,成为了这种新型显示器的关键技术。目前,主流的转移方式主要是激光转移技术、范德瓦尔斯力转移技术、静电吸附转移技术和电磁吸附转移技术。但这些方法转移巨量microled时,microled区域化转移,导致屏幕容易出现马赛克。

发明内容

本申请的目的在于提供一种芯片转移方法,旨在解决现有的巨量转移方法容易导致屏幕马赛克的问题。

为实现上述发明目的,本申请采用的技术方案如下:

本申请提供一种芯片转移方法,包括:

将混有芯片的溶液铺在预设模板上,所述芯片的两个芯片电极分别设置于所述芯片的相对的两端,所述两个芯片电极中的一个芯片电极镀有磁性材料,所述预设模板包括模板主体及贴合置于所述模板主体之下的基板,所述基板设置有基板电极,所述模板主体对应所述基板电极处开设有供所述芯片落入至所述基板电极的通孔;

对铺有所述溶液的预设模板施加磁场,镀有磁性材料的芯片电极与所述基板电极接触;

加热去除所述溶液,并移除所述模板主体。

本申请提供的芯片转移方法,待转移芯片的一个芯片电极镀有磁性材料,在将混有芯片的溶液预设模板上后,通过对预设模板施加磁场,使芯片在磁场吸引下,镀有磁性材料的芯片电极与所述基板电极接触,实现芯片的批量转移。本申请提供的芯片转移方法,将芯片制备过程中来源于不同区域的芯片打散,无序混合在溶剂中,并装贴在基板表面,可以消除将芯片区域转移并装贴至基板时,相邻区域的芯片亮度和色差明显,导致的屏幕马赛克问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的芯片转移方法的流程示意图;

图2是本发明实施例提供的芯片结构示意图;

图3是本发明实施例提供的将芯片分散于溶液中得到芯片-溶液混合体系的示意图;

图4是本发明实施例提供的将混有芯片的溶液铺在预设模板上的示意图;

图5是本发明实施例提供的芯片在通孔中沉降状态;

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