[发明专利]芯片转移方法

权利要求书

1.一种芯片转移方法，其特征在于，包括：

将混有芯片的溶液铺在预设模板上，所述芯片的两个芯片电极分别设置于所述芯片的相对的两端，所述两个芯片电极中的一个芯片电极镀有磁性材料，所述预设模板包括模板主体及贴合置于所述模板主体之下的基板，所述基板设置有基板电极，所述模板主体对应所述基板电极处开设有供所述芯片落入至所述基板电极的通孔；

对铺有所述溶液的预设模板施加磁场，镀有磁性材料的芯片电极与所述基板电极接触；

加热去除所述溶液，并移除所述模板主体。

2.如权利要求1所述的芯片转移方法，其特征在于，所述磁性材料的表面还镀有焊接材料。

3.如权利要求2所述的芯片转移方法，其特征在于，所述焊接材料与所述磁性材料的体积比为1:0.5-1:3。

4.如权利要求2所述的芯片转移方法，其特征在于，所述加热去除所述溶液，并移除所述模板主体，实现芯片的转移之后还包括：

对所述基板进行加热，使所述焊接材料融化与所述镀有磁性材料的芯片电极固定焊接。

5.如权利要求4所述的芯片转移方法，其特征在于，所述对所述基板进行加热，包括：

以110-120℃/min的速度将所述基板升温至140℃；

以30-40℃/min的速度将所述基板从140℃升温至170℃；

以40-50℃/min的速度将所述基板从170℃升温至210℃；

以50-60℃/min的速度将所述基板从210℃升温至260℃；

以80-90℃/min的速度将所述基板从210℃降温至180℃；

以60-70℃/min的速度将所述基板从210℃降温至120℃。

6.如权利要求4所述的芯片转移方法，其特征在于，所述对所述基板进行加热，使所述焊接材料融化与所述镀有磁性材料的芯片电极固定焊接之后还包括：

在所述基板上沉积绝缘层，所述绝缘层的厚度大于所述芯片的两个芯片电极之间的最大距离；

对所述绝缘层进行研磨以裸露未镀有磁性材料的芯片电极；

在研磨处理后的基板上沉积金属电极层；

在所述金属电极层上沉积保护层。

7.如权利要求6所述的芯片转移方法，其特征在于，所述绝缘层为二氧化硅、氮化硅中的至少一种形成的绝缘层，或

所述绝缘层为二氧化硅层、氮化硅形成的复合层。

8.如权利要求1所述的芯片转移方法，其特征在于，所述溶液包括丙酮或乙醇。

9.如权利要求8所述的芯片转移方法，其特征在于，所述溶液还包括助焊剂。

10.如权利要求1至9任一项所述的芯片转移方法，其特征在于，所述磁性材料选自镍、铁、钴中的至少一种。

11.如权利要求1至9任一项所述的芯片转移方法，其特征在于，所述溶液中含有丙烯酸，且所述溶液中，所述丙烯酸的体积百分含量为0.5％～1.5％。

12.如权利要求1至9任一项所述的芯片转移方法，其特征在于，所述对铺有所述溶液的预设模板施加磁场，包括：在所述预设模板的基板所在侧，放置磁铁或电磁铁。