[发明专利]一种非易失性存储器应用级擦写寿命评价方法有效
| 申请号： | 202011226061.1 | 申请日： | 2020-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN112435706B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 蒋玉茜;王西国;董攀 | 申请（专利权）人： | 北京中电华大电子设计有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C29/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 102209 北京市昌平区北七家镇未*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非易失性存储器应用级擦写寿命评价方法。针对不同应用领域对非易失性存储器擦写寿命要求不同的情况，在芯片可靠性认证中加入应用级擦写寿命测试，尽可能多地覆盖应用场景，统计和分析应用场景中的应用文件和应用数据更新频次，模拟应用中的存储空间分配和擦写寿命频次，测试非易失性存储器应用级擦写寿命。本发明提出的应用级擦写寿命测试方法，有效地评价非易失性存储器的应用级可靠性水平。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非易失性存储器 应用 擦写 寿命 评价 方法 | ||
【主权项】：
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