[发明专利]一种非易失性存储器应用级擦写寿命评价方法有效
申请号: | 202011226061.1 | 申请日: | 2020-11-05 |
公开(公告)号: | CN112435706B | 公开(公告)日: | 2023-06-30 |
发明(设计)人: | 蒋玉茜;王西国;董攀 | 申请(专利权)人: | 北京中电华大电子设计有限责任公司 |
主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34;G11C29/56 |
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地址: | 102209 北京市昌平区北七家镇未*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 非易失性存储器 应用 擦写 寿命 评价 方法 | ||
1.一种非易失性存储器应用级擦写寿命评价方法,其特征在于,所述应用级擦写寿命评价方法,具体包括采集芯片在各种应用场景下的应用数据、统计和分析应用数据、建立模拟应用场景的存储空间分区与擦写频次模型、制定非易失性存储器的应用级擦写寿命测试方案,测试和评价非易失性存储器的应用级擦写寿命,包括以下步骤:
(1)在不同终端设备和应用场景下采集芯片应用数据,对应用文件、应用数据更新频次进行分析,统计各种应用文件占用的非易失性存储器存储空间及擦写频次;
(2)依据每天不同应用场景的使用频次,对应用文件及应用数据更新频次进行加权,统计出工作寿命内的应用文件存储空间及擦写频次;
(3)依据应用文件的擦写频次从低到高,归类统计出程序区、低频次、中频次、高频次擦写数据区的存储空间及其擦写频次,建立模拟实际应用的应用文件存储空间及擦写频次模型;
(4)根据应用文件的存储空间及擦写频次模型,制定非易失性存储器应用级擦写寿命测试方案,按照应用级存储空间比例将存储空间划分为程序区、低频次、中频次、高频次擦写数据区,执行擦写操作的频次从低到高,并达到各存储空间的应用级擦写频次要求;
(5)不同应用领域和应用场景对应用文件的存储空间和擦写寿命要求不同,补充各应用领域和应用场景的存储空间及擦写频次模型,对比测试结果与应用级擦写寿命要求,持续优化测试方案,完成非易失性存储器应用级擦写寿命评价。
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