[发明专利]一种非易失性存储器应用级擦写寿命评价方法有效
申请号: | 202011226061.1 | 申请日: | 2020-11-05 |
公开(公告)号: | CN112435706B | 公开(公告)日: | 2023-06-30 |
发明(设计)人: | 蒋玉茜;王西国;董攀 | 申请(专利权)人: | 北京中电华大电子设计有限责任公司 |
主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34;G11C29/56 |
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地址: | 102209 北京市昌平区北七家镇未*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 非易失性存储器 应用 擦写 寿命 评价 方法 | ||
本发明公开了一种非易失性存储器应用级擦写寿命评价方法。针对不同应用领域对非易失性存储器擦写寿命要求不同的情况,在芯片可靠性认证中加入应用级擦写寿命测试,尽可能多地覆盖应用场景,统计和分析应用场景中的应用文件和应用数据更新频次,模拟应用中的存储空间分配和擦写寿命频次,测试非易失性存储器应用级擦写寿命。本发明提出的应用级擦写寿命测试方法,有效地评价非易失性存储器的应用级可靠性水平。
技术领域
本发明涉及一种非易失性存储器应用级擦写寿命评价方法。
背景技术
随着我国集成电路制造技术的不断发展,非易失性存储器应用领域越来越广泛,对大容量非易失性存储器的可靠性提出了更高挑战。传统的非易失性存储器擦写寿命测试方法通常是对所有存储空间写入物理数据全“0”或全“1”。不同应用领域的非易失性存储器可靠性技术指标要求不同,不同应用场景下应用文件的擦写频次不同,应用数据具有随机性,亟需建立适用于不同应用领域的非易失性存储器擦写寿命测试方法。
发明内容
针对上述非易失性存储器应用级擦写寿命测试问题,本发明提出一种非易失性存储器的应用级擦写寿命测试方法,解决了非易失性存储器在不同应用场景的擦写寿命评价问题。本发明测试方法的主要测试流程包括,收集和统计不同应用场景的应用数据,根据各应用文件的数据更新频次,建立非易失性存储器的应用级擦写寿命测试模型,模拟不同应用场景下的应用文件更新,针对不同存储空间进行不同频次的擦写测试,建立了非易失性存储器应用级擦写寿命测试和评价方法。
应用场景中各存储空间擦写频次不均匀,按照擦写频次由低到高划分为,程序区、低频次数据区、中频次数据区、高频次数据区。程序区在应用过程中很少擦写,低频次擦写数据区通常存放应用程序,擦写频次较低。中频次擦写数据区通常用来存放用户数据,擦写频次居中。高频擦写数据区通常用来备份用户使用数据,擦写频次较高。该方法在擦写测试时需要针对不同的存储空间进行不同频次的擦写,保证非易失性存储器中的各存储空间擦写强度与应用场景相符,能够覆盖全部存储空间,避免由于测试覆盖不足,而未发现潜在的可靠性问题。
本发明提出的非易失性存储器应用级擦写寿命测试方法包括:
在不同应用场景下使用终端设备,通过应用数据采集设备和数据采集软件收集应用数据,记录不同终端设备在不同应用场景下的非易失性存储器应用文件及数据更新,存储在测试日志中。
作为优选,为了确保非易失性存储器应用级可靠性测试方法有效,在尽可能多的应用场景下使用不同型号的终端设备收集尽可能多的应用数据,统计分析不同应用场景和不同终端设备下的应用数据,建立应用数据存储空间和应用数据擦写频次的模型。本专利发明的应用级擦写寿命评价方法,通过模拟非易失性存储器的应用数据擦写,保证测试方案与应用数据更新模型一致。
本发明公开的一种非易失性存储器的应用级擦写寿命评价方法,模拟应用场景,建立应用级擦写寿命模型,更贴近实际应用地考核非易失性存储器的可靠性水平。相比传统测试方法,发现更多应用环境中的非易失性存储器擦写寿命失效模式,该方法显著提高了应用级可靠性测试技术的实用性,同时保障了评价方法的有效性。
附图说明
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细描述
图1为非易失性存储器应用数据采集平台
图2为非易失性存储器应用级擦写寿命评价方法
具体实施方式
本发明提出的非易失性存储器应用级擦写寿命评价方法中,硬件环境需要终端设备、应用数据采集设备、上位机,如图1所示。通过应用数据采集软件记录不同终端在不同应用场景下的应用文件和应用数据,分析不同终端不同应用场景下各应用文件和应用数据更新频次,统计应用文件的存储空间、擦写频次等,建立应用级存储空间分配与擦写频次模型,制定应用级擦写寿命测试方案,完成非易失性存储器应用级擦写寿命评价。
如图2所示,具体方法如下:
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