[发明专利]LDMOS晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 202011206497.4 | 申请日： | 2020-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN112103331B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 郑大燮 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济技术开*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种LDMOS晶体管及其制造方法，本发明的LDMOS晶体管，在第一导电类型的源区底部形成了与源区对准的第二导电类型的反型掺杂区，且所述反型掺杂区包围所述源区的底部，反型掺杂区的第二导电类型离子掺杂剂量高于阱区的第二导电类型离子掺杂剂量，能够降低寄生BJT（双极结型晶体管）的共发射极电流增益β，进而在不增大LDMOS晶体管占用面积、不牺牲导通电流以及不影响器件其他电气性能的情况下，显著提高LDMOS晶体管的SOA特性。本发明的LDMOS晶体管的制造方法，工艺简单，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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