[发明专利]LDMOS晶体管及其制造方法

说明书

本发明提供了一种LDMOS晶体管及其制造方法，本发明的LDMOS晶体管，在第一导电类型的源区底部形成了与源区对准的第二导电类型的反型掺杂区，且所述反型掺杂区包围所述源区的底部，反型掺杂区的第二导电类型离子掺杂剂量高于阱区的第二导电类型离子掺杂剂量，能够降低寄生BJT（双极结型晶体管）的共发射极电流增益β，进而在不增大LDMOS晶体管占用面积、不牺牲导通电流以及不影响器件其他电气性能的情况下，显著提高LDMOS晶体管的SOA特性。本发明的LDMOS晶体管的制造方法，工艺简单，成本低。

技术领域

本发明涉及半导体器件的制作技术领域，特别涉及一种LDMOS晶体管及其制造方法。

背景技术

图1示出了本领域中已知的一种 LDMOS（Lateral Double Diffused MetalOxide Semiconductor，横向双扩散金 氧半导体）晶体管，其衬底100中形成有漂移区101和阱区102，漂移区101中形成有源区106s、体区106p，漂移区102中形成有漏区106d，衬底100表面上形成有局部场氧结构103、栅氧层104、栅极105和层间介质层107，栅极105覆盖在栅氧层104以及部分局部场氧结构103上，层间介质层107覆盖栅极105、局部场氧结构103以及被暴露出的衬底100的表面，层间介质层中形成有源极导电插塞108s、漏极导电插塞108d以及体区导电插塞108p。

现有的LDMOS晶体管应用在汽车或大功率、恶劣环境下时，其SOA（Safe operatingarea，安全工作区）特性一直是影响其性能的关键因素。而SOA特性主要由LDMOS晶体管中寄生的横向BJT（Bipolar Junction Transistor，双极结型晶体管）作用决定。

因此，如何增强LDMOS晶体管的SOA特性，成为本领域技术人员研究的热点问题之一。

发明内容

本发明的一目的在于提供一种LDMOS晶体管，能够进一步提高LDMOS晶体管的SOA特性。

本发明的另一目的在于提供一种LDMOS晶体管的制造方法，能够通过相对简单的工艺获得具有较佳SOA特性的LDMOS晶体管。

为解决上述技术问题，本发明提供一种LDMOS晶体管，包括：

衬底，所述衬底中形成有第一导电类型的漂移区和第二导电类型的阱区，所述漂移区中形成有第一导电类型的漏区，所述阱区中形成有第一导电类型的源区；

局部场氧结构，至少部分嵌入在所述漂移区中；

栅极，形成在所述源区和所述漏区之间的衬底上并部分延伸到所述局部场氧结构的上方；

其中，所述LDMOS晶体管还包括：

第二导电类型的反型掺杂区，所述反型掺杂区包围所述源区的底部，且所述反型掺杂区向上延伸的边界与所述源区外围的衬底上表面之间具有一定间隔，所述反型掺杂区的第二导电类型离子掺杂剂量高于所述阱区的第二导电类型离子掺杂剂量；

第一导电类型的轻掺杂区，所述轻掺杂区形成于所述阱区中，并从所述源区面向所述栅极的边界延伸到所述栅极的下方，所述轻掺杂区的第一导电类型离子掺杂剂量低于所述源区的第一导电类型离子掺杂剂量。

可选地，且所述反型掺杂区向上延伸到所述轻掺杂区的底部。

可选地，所述反型掺杂区的第二导电类型离子掺杂剂量高于所述源区的第一导电类型离子掺杂剂量。

可选地，所述的LDMOS晶体管还包括:

层间介质层，形成在所述衬底上，并覆盖所述栅极、所述局部场氧结构和所述衬底的表面；