[发明专利]LDMOS晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种LDMOS晶体管，包括:

衬底，所述衬底中形成有第一导电类型的漂移区和第二导电类型的阱区，所述漂移区中形成有第一导电类型的漏区，所述阱区中形成有第一导电类型的源区；

局部场氧结构，至少部分嵌入在所述漂移区中；

栅极，形成在所述源区和所述漏区之间的衬底上并部分延伸到所述局部场氧结构的上方；

其特征在于，所述LDMOS晶体管还包括：

第二导电类型的反型掺杂区，所述反型掺杂区与所述源区对准且包围所述源区的底部，所述反型掺杂区与所述栅极在所述衬底上表面的投影有重叠，且所述反型掺杂区向上延伸的边界与所述源区外围的衬底上表面之间具有一定间隔，所述反型掺杂区的第二导电类型离子掺杂剂量高于所述阱区的第二导电类型离子掺杂剂量；

第一导电类型的轻掺杂区，所述轻掺杂区形成于所述阱区中，并从所述源区面向所述栅极的边界延伸到所述栅极的下方，所述轻掺杂区的第一导电类型离子掺杂剂量低于所述源区的第一导电类型离子掺杂剂量；

其中，所述反型掺杂区向上延伸到所述轻掺杂区的底部，所述轻掺杂区用于限定所述反型掺杂区向上延伸的边界与所述衬底上表面之间的距离以及用于限定所述反型掺杂区与所述栅极的重叠面积，且所述反型掺杂区和所述阱区使得所述源区和所述漏区之间的沟道区中形成横向掺杂浓度梯度和纵向浓度梯度。

2.如权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于，所述反型掺杂区的第二导电类型离子掺杂剂量高于所述源区的第一导电类型离子掺杂剂量。

3.如权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于，还包括:

层间介质层，形成在所述衬底上，并覆盖所述栅极、所述局部场氧结构和所述衬底的表面；

源极导电插塞和漏极导电插塞，形成在所述层间介质层中，且所述源极导电插塞的底部与所述源区电性接触，所述漏极导电插塞的底部与所述漏区电性接触。

4.如权利要求3所述的LDMOS晶体管，其特征在于，还包括:

源极场板，形成在所述层间介质层上，并与所述源极导电插塞的顶部电性连接；

漏极场板，形成在所述层间介质层上，并与所述漏极导电插塞的顶部电性连接，且与所述源极场板相互分离。

5.如权利要求3所述的LDMOS晶体管，其特征在于，还包括第二导电类型的体区和体区导电插塞，所述体区形成在所述阱区中并位于所述源区背向所述栅极的一侧，所述体区导电插塞形成在所述层间介质层中且底部与所述体区电性接触。

6.一种如权利要求1至5中任一项所述的LDMOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底中形成第一导电类型的漂移区和第二导电类型的阱区，所述衬底上形成有局部场氧结构，所述局部场氧结构至少部分嵌入在所述漂移区中；

在所述衬底上形成栅极，所述栅极部分延伸到所述局部场氧结构的上方；

形成第一导电类型的源区、漏区和轻掺杂区以及第二导电类型的反型掺杂区，所述漏区位于所述局部场氧结构一侧的漂移区中，所述源区、所述轻掺杂区和所述反型掺杂区均位于所述阱区中，所述轻掺杂区从所述源区面向所述栅极的边界延伸到所述栅极的下方，所述反型掺杂区与所述源区对准且包围所述源区的底部，所述反型掺杂区与所述栅极在所述衬底上表面的投影有重叠，且所述反型掺杂区向上延伸的边界与所述源区外围的衬底上表面之间具有一定间隔，所述反型掺杂区的第二导电类型离子掺杂剂量高于所述阱区的第二导电类型离子掺杂剂量，其中，所述反型掺杂区向上延伸到所述轻掺杂区的底部，所述轻掺杂区用于限定所述反型掺杂区向上延伸的边界与所述衬底上表面之间的距离以及用于限定所述反型掺杂区与所述栅极的重叠面积，且所述反型掺杂区和所述阱区使得所述源区和所述漏区之间的沟道区中形成横向掺杂浓度梯度和纵向浓度梯度。