[发明专利]集成芯片在审
| 申请号： | 202011187561.9 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112750910A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 徐崇威;江国诚;朱龙琨;黄懋霖;余佳霓;王志豪;程冠伦;蔡庆威;陈豪育 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28;H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在一些实施例中，本公开涉及一种集成芯片，其包括第一纳米片场效晶体管(nanosheet field effect transistor，NSFET)。第一NSFET包括：第一纳米片通道结构，排列于基板上；第二纳米片通道结构，直接排列于第一纳米片通道结构上；以及第一栅极结构。第一纳米片通道结构及第二纳米片通道结构在第一及第二源极/漏极区之间平行延伸。第一栅极结构包括第一导电环及第二导电环，分别完全包围第一纳米片通道结构及第二纳米片通道结构的多个外侧壁，且第一栅极结构包括第一材料。第一栅极结构也包括钝化层，其完全包围第一及第二导电环，且直接排列于第一及第二纳米片通道结构之间，且包括不同于第一材料的第二材料。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 芯片 | ||
【主权项】：
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