[发明专利]集成芯片在审
| 申请号: | 202011187561.9 | 申请日: | 2020-10-30 |
| 公开(公告)号: | CN112750910A | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
| 发明(设计)人: | 徐崇威;江国诚;朱龙琨;黄懋霖;余佳霓;王志豪;程冠伦;蔡庆威;陈豪育 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28;H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 集成 芯片 | ||
1.一种集成芯片,包括:
一第一纳米片场效晶体管,包括:
一第一纳米片通道结构,排列于一基板上;
一第二纳米片通道结构,直接排列于该第一纳米片通道结构上,且从一第一源极/漏极区平行延伸至一第二源极/漏极区;以及
一第一栅极结构,包括:
一第一导电环,包括一第一材料且完全包围该第一纳米片通道结构的多个外侧壁,
一第二导电环,包括该第一材料且完全包围该第二纳米片通道结构的多个外侧壁,以及
一钝化层,完全包围该第一导电环及该第二导电环,直接排列于该第一纳米片通道结构及该第二纳米片通道结构之间,且包括不同于该第一材料的一第二材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011187561.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:感测组件及包括该感测组件的电池模块
- 下一篇:用于光学测量装置的测试仪
- 同类专利
- 专利分类





