[发明专利]半导体测试结构有效
| 申请号： | 202011159567.5 | 申请日： | 2020-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN112017987B | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 夏目秀隆;田矢真敏;藤井康博;中野纪夫 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济技术开*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体测试结构，包括设于半导体衬底上的多个局部区域，每个所述局部区域通过半导体衬底中形成的沟槽隔离结构限定出有效区域和围绕所述有效区域设置的多个冗余区域，其中，所述有效区域设置有测试元件，所述测试元件以能够测定电气特性的方式与电极连接，所述冗余区域的分布以使得多个所述局部区域彼此之间图案密度互不相同的方式设置。利用所述半导体测试结构，通过测定各个局部区域的测试元件的电气特性，并比较不同局部区域对应的电气特性结果的比较，可以得到实施化学机械研磨工艺时局部区域的图案密度的下限值，进而有助于选择适合的图案密度，优化化学机械研磨工艺的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 测试 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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