[发明专利]一种用于TOPCon电池的去绕镀方法及TOPCon电池的制备方法有效
| 申请号： | 202011157169.X | 申请日： | 2020-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN112349584B | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 汤欢;郭宝军;王静;赵学玲;王平;马红娜;郎芳;史金超;李锋;张伟;王子谦;翟金叶;潘明翠;王红芳;徐卓;王丙宽;张文辉 | 申请（专利权）人： | 英利能源（中国）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/306;H01L31/18 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 郝晓红 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种用于TOPCon电池的去绕镀方法及TOPCon电池的制备方法。所述去绕镀方法包括如下步骤：在磷掺杂后的硅片背面制作水膜，用氢氟酸溶液去除正面和侧面绕镀的磷掺杂层；将所得硅片放入含有添加剂的KOH溶液或NaOH溶液中浸泡，去除硅片正面的多晶硅，取出硅片水洗；将所得硅片置于KOH或NaOH与H |
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| 搜索关键词： | 一种 用于 topcon 电池 去绕镀 方法 制备 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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