[发明专利]一种用于TOPCon电池的去绕镀方法及TOPCon电池的制备方法

权利要求书

1.一种用于TOPCon电池的去绕镀方法，其特征在于：包括如下步骤：

S1，在制绒后的硅片正面进行硼掺杂，背面沉积隧穿氧化层和多晶硅层后，进行磷掺杂；

S2，在磷掺杂后的硅片背面制作水膜，用氢氟酸溶液去除正面和侧面绕镀的磷掺杂层；

S3，将步骤S2中所得硅片放入含有添加剂的KOH溶液或NaOH溶液中浸泡，去除硅片正面的多晶硅，取出硅片水洗，其中，所述添加剂包括质量分数如下的组分：3％～10％的表面活性剂，0.5％～5％的柠檬酸钠，0.5％～6％的苯甲酸钠，余量为去离子水；

S4，将步骤S3中所得硅片置于KOH溶液或NaOH溶液与H₂O₂溶液的混合溶液中浸泡，取出硅片用水润洗后，置于盐酸溶液中浸泡，取出硅片水洗，

步骤S3、S4中的浸泡处理均在对应的反应槽内完成，所述反应槽内部设有两组循环鼓泡系统；

步骤S3中，添加剂与KOH溶液或NaOH溶液的体积比为1:2～10。

2.如权利要求1所述的用于TOPCon电池的去绕镀方法，其特征在于：步骤S1中，隧穿氧化层和多晶硅层的厚度为120～200nm；磷掺杂后硅片的方阻为20～35Ω/Sq。

3.如权利要求1所述的用于TOPCon电池的去绕镀方法，其特征在于：步骤S2中，氢氟酸溶液的质量浓度为40％～60％，去除磷掺杂层的时间为1.5～3min。

4.如权利要求1所述的用于TOPCon电池的去绕镀方法，其特征在于：步骤S3中，所述KOH溶液或NaOH溶液的质量浓度为45％～55％。

5.如权利要求1所述的用于TOPCon电池的去绕镀方法，其特征在于：步骤S3中，浸泡温度为55～70℃，时间为1～10min；水洗时间为2～5min。

6.如权利要求1所述的用于TOPCon电池的去绕镀方法，其特征在于：步骤S4中，KOH溶液或NaOH溶液与H₂O₂溶液的体积比为1:2～6，KOH溶液或NaOH溶液的质量浓度为45％～55％，H₂O₂溶液的质量浓度为30％～35％。

7.如权利要求1所述的用于TOPCon电池的去绕镀方法，其特征在于：步骤S4中，混合溶液中浸泡的温度为50～65℃，时间为1～5min；用水润洗时间为2～5min。

8.如权利要求1所述的用于TOPCon电池的去绕镀方法，其特征在于：步骤S4中，盐酸溶液浓度为2％～10％，浸泡时间为1～3min，水洗时间为2～5min。

9.如权利要求1至8任一项所述的用于TOPCon电池的去绕镀方法，其特征在于：反应槽包括内槽和外槽，且内槽槽体高度低于外槽槽体高度，所述内槽底部设有补液管和氮气鼓泡管，所述补液管和氮气鼓泡管形成循环鼓泡系统。

10.一种TOPCon电池的制备方法，其特征在于：包括权利要求1至9任一项所述的用于TOPCon电池的去绕镀方法。