[发明专利]一种用于TOPCon电池的去绕镀方法及TOPCon电池的制备方法

说明书

本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种用于TOPCon电池的去绕镀方法及TOPCon电池的制备方法。所述去绕镀方法包括如下步骤：在磷掺杂后的硅片背面制作水膜，用氢氟酸溶液去除正面和侧面绕镀的磷掺杂层；将所得硅片放入含有添加剂的KOH溶液或NaOH溶液中浸泡，去除硅片正面的多晶硅，取出硅片水洗；将所得硅片置于KOH或NaOH与H₂O₂的混合溶液中浸泡，水洗后，置于盐酸溶液中浸泡，取出硅片水洗，浸泡处理均在对应的反应槽内完成，所述反应槽内部设有两组循环鼓泡系统。本发明提供的去绕镀方法能有效解决TOPCon电池的绕镀现象，保证产品的优良率，解决绕镀导致的外观问题，EL不合格问题，提高了电池转换效率。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种用于TOPCon电池的去绕镀方法及TOPCon电池的制备方法。

背景技术

TOPCon技术是在电池背面制备一层超薄的隧穿氧化层和一层高掺杂的多晶硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构。在N型单晶双面电池制作过程中，需要经过两次扩散，用到掩膜工艺，有掩膜就要去绕镀膜。工艺过程中最大的难点之一就是去除正面的绕镀的多晶硅层和掺杂的磷层，清洗不当导致掺杂区出现过抛或者清洗不干净，镀膜后有明显的色差，钝化效果不佳，不利于对光线的吸收导致填充因子降低，最终引起效率的降低。

目前，常用到的掩膜有磷硅玻璃层掩膜、SiON或SiN₄掩膜、旋转涂料掩膜等。用磷硅玻璃层做掩膜时，采用HF和HNO₃混合酸溶液进行去绕镀，酸溶液会直接漫过硼扩散后的硅片，难以控制对正面硼硅玻璃层的完整保留，工艺窗口较窄，硅片存在被破坏的风险，影响最终的效率。硅片背面用SiON或SiNx做掩膜时，去绕镀可采用酸洗去绕镀，但增加了镀掩膜和掩膜后清洗的流程，需增加设备，提高成本，且较常规N型单晶双面电池制作过程的顺序相对混乱。采用旋转涂料做掩膜时，可以用混合酸液去除，但容易引入新的金属离子，金属离子去除不干净导致效率低。此外，采用无机碱(KOH/NaOH)去除硅片正面绕镀的多晶硅时，因反应速率太快，无法控制清除效果，对硅片的绕镀工艺要求较高，化学品很容易破坏P+层，工艺窗口很窄，产品的优良率波动较大。

发明内容

针对现有TOPCon电池制作过程中去绕镀存在的上述技术问题，本发明提供一种用于TOPCon电池的去绕镀方法及TOPCon电池的制备方法。

为达到上述发明目的，本发明实施例采用了如下的技术方案：

一种用于TOPCon电池的去绕镀方法，包括如下步骤：

S1，在制绒后的硅片正面进行硼掺杂，背面沉积隧穿氧化层和多晶硅层后，进行磷掺杂；

S2，在磷掺杂后的硅片背面制作水膜，用氢氟酸溶液去除正面和侧面绕镀的磷掺杂层；

S3，将步骤S2中所得硅片放入含有添加剂的KOH溶液或NaOH溶液中浸泡，去除硅片正面的多晶硅，取出硅片水洗，其中，所述添加剂包括质量分数如下的组分：3％～10％的表面活性剂，0.5％～5％的柠檬酸钠，0.5％～6％的苯甲酸钠，余量为去离子水；

S4，将步骤S3中所得硅片置于KOH溶液或NaOH溶液与H₂O₂溶液的混合溶液中浸泡，取出硅片用水润洗后，置于盐酸溶液中浸泡，取出硅片水洗，

步骤S3、S4中的浸泡处理均在对应的反应槽内完成，所述反应槽内部设有两组循环鼓泡系统，用于保证药液的流动性和均匀性。