[发明专利]3D存储器件及其制造方法

摘要

公开了一种3D存储器件及其制造方法，包括：在衬底表面形成第一蚀刻停止层；在所述第一蚀刻停止层上形成第一绝缘叠层结构，所述第一绝缘叠层结构包括交替堆叠的多个层间绝缘层和牺牲层；形成贯穿所述第一绝缘叠层结构的多个第一通道孔，其中，所述第一通道孔延伸至所述第一蚀刻停止层的表面；沿着多个第一通道孔刻蚀去除第一蚀刻停止层从而形成多个第一沟道孔，其中，所述第一沟道孔延伸至所述衬底中，以及在所述第一沟道孔中形成沟道柱。本申请通过在衬底的表面形成的第一蚀刻停止层，在形成第一沟道孔时，采用第一蚀刻停止层限制蚀刻过程，保证了形成的第一沟道孔底部的沟槽深度的均匀性。