[发明专利]3D存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种3D存储器件的制造方法，包括：

在衬底表面形成第一蚀刻停止层；

在所述第一蚀刻停止层上形成第一绝缘叠层结构，所述第一绝缘叠层结构包括交替堆叠的多个层间绝缘层和牺牲层；

形成贯穿所述第一绝缘叠层结构的多个第一通道孔，其中，所述第一通道孔延伸至所述第一蚀刻停止层的表面；

沿着多个第一通道孔刻蚀去除第一蚀刻停止层从而形成多个第一沟道孔，其中，所述第一沟道孔延伸至所述衬底中，以及

在所述第一沟道孔中形成沟道柱。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，在形成多个第一沟道孔和在所述第一沟道孔中形成沟道柱的步骤之间，还包括：

在所述第一沟道孔中沉积第三牺牲层；

在所述第一绝缘叠层结构的表面形成第二蚀刻停止层；

在所述第二蚀刻停止层的表面形成第二绝缘叠层结构；

形成贯穿所述第二绝缘叠层结构的多个第三通道孔，其中，所述第三通道孔延伸至所述第二蚀刻停止层的表面；

沿着多个第三通道孔刻蚀去除第二蚀刻停止层从而形成多个第二沟道孔，其中，所述第二沟道孔暴露所述第三牺牲层的表面。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其中，沿着多个第一通道孔刻蚀去除第一蚀刻停止层从而形成多个第一沟道孔的步骤包括：

去除所述第一通道孔底部的所述第一蚀刻停止层，形成暴露所述衬底第二通道孔。

去除部分所述第二通道孔底部的所述衬底，形成延伸至所述衬底中第一沟道孔。

4.根据权利要求2或3所述的制造方法，其中，所述第一蚀刻停止层和所述第二蚀刻停止层的材料为氧化铝。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其中，采用气相蚀刻去除所述第一蚀刻停止层。

6.根据权利要求2所述的制造方法，其中，沿着多个第三通道孔刻蚀去除第二蚀刻停止层从而形成多个第二沟道孔的步骤之后，还包括：

去除所述第一沟道孔中的所述第三牺牲层。

7.根据权利要求1所述的制造方法，其中，在所述沟道孔中形成沟道柱的步骤之后，还包括：

在所述绝缘叠层结构中形成栅线缝隙；

经由所述栅线缝隙将所述绝缘叠层结构置换为栅叠层结构。

8.一种3D存储器件，包括：

衬底；

位于所述衬底上的第一蚀刻停止层；

位于所述第一蚀刻停止层上的第一栅叠层结构；

贯穿所述第一栅叠层结构的栅线缝隙和多个沟道柱；

其中，采用第一蚀刻停止层控制所述多个第一沟道柱的形成过程。

9.根据权利要求8所述的3D存储器件，其中，还包括：

位于所述第一栅叠层结构上的第二蚀刻停止层；

位于所述第二蚀刻停止层上的第二栅叠层结构；

贯穿所述第二栅叠层结构的栅线缝隙和多个第二沟道柱；

其中，采用第而蚀刻停止层控制所述多个第二沟道柱的形成过程。

10.根据权利要求8或9所述的3D存储器件，其中，所述第一蚀刻停止层和所述第二蚀刻停止层的材料为氧化铝。

11.根据权利要求10所述的3D存储器件，其中，所述第一蚀刻停止层作为绝缘层隔离所述衬底与所述栅叠层结构。