[发明专利]DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备在审
| 申请号： | 202011136998.X | 申请日： | 2020-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN112216339A | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 孙成思;孙日欣;刘冲;雷泰 | 申请（专利权）人： | 深圳佰维存储科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人： | 张鹏 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备，对待测试的DRAM先以预设突发长度为单位进行基于第一预设读写单元的突发读写访问操作，再进行基于第二预设读写单元的突发读写访问操作，第一预设读写单元与第二预设读写单元不同，由于预设读写单元的读写访问是从预设读写单元的两端同时向中间进行读写，并且通过掩码依次选通所述预设突发长度的预设写入位并屏蔽其余位直至所述预设突发长度对应的每一位均写入数据，因此，更贴近用户使用的环境，且相较于现有的突发访问测试，通过使用掩码从而实现在一个突发长度内实现按位访问，更能够激发cell与cell之间的故障，提高了测试DRAM时的故障覆盖率。 | ||
| 搜索关键词： | dram 测试 方法 装置 可读 存储 介质 电子设备 | ||
【主权项】：
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